Greenray晶振,石英晶體振蕩器,T1170晶振
頻率:10.000MHz~300MHz
尺寸:20.5mm*20.5mm
Greenray格林雷工業(yè)生產(chǎn)貼片晶體振蕩器,有源晶振,SMT、thru - hole、混合和定制產(chǎn)品.所生產(chǎn)的石英晶體振蕩器根據(jù)性能可以分為:普通晶體振蕩器(SPXO)、壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶振(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)等.確保所生產(chǎn)晶振,貼片石英晶振的質(zhì)量,都會(huì)經(jīng)過廣泛的電氣以及環(huán)境測(cè)試。
Greenray格林雷晶振集團(tuán)為幾個(gè)主要市場(chǎng)提供石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體等頻率控制解決方案.在軍事市場(chǎng)上,我們?yōu)橹悄軓椝?、?dǎo)彈制導(dǎo)、移動(dòng)接收器和雷達(dá)系統(tǒng)提供產(chǎn)品.
Greenray晶振,石英晶體振蕩器,T1170晶振.20.5*20.5mm體積的溫補(bǔ)晶體振蕩器,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.
石英晶振曲率半徑加工技術(shù):石英晶振晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)( a、球面的余弦磨量; b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時(shí)球面測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則(曲率半徑公式的計(jì)算)。大尺寸溫補(bǔ)晶體振蕩器,DIP型有源晶振,T1170晶振
型號(hào) |
T1170晶振 (TCXO)20.5*20.5mm |
|
輸出頻率范圍 |
10~300MHz |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
|
電源電壓范圍 |
+3.3V |
|
電源電壓(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
|
消耗電流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz) |
|
待機(jī)時(shí)電流 |
- |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
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輸出負(fù)載 |
10kΩ//10pF |
|
頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85℃ |
|
電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
|
負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
|
長(zhǎng)期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
- |
頻率控制極性 |
- |
|
啟動(dòng)時(shí)間 |
2.0ms max. |
抗沖擊
插件有源晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。大尺寸溫補(bǔ)晶體振蕩器,DIP型有源晶振,T1170晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解TCXO晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。Greenray晶振,石英晶體振蕩器,T1170晶振
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞定位導(dǎo)航晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
1、振蕩電路
石英晶體諧振器是無(wú)源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。Greenray晶振,石英晶體振蕩器,T1170晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。
(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉晶體的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。大尺寸溫補(bǔ)晶體振蕩器,DIP型有源晶振,T1170晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于無(wú)源晶振的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
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