SiTime正在為電子產(chǎn)品的小型化提供支持，它提供的時(shí)間解決方案是行業(yè)中最小的包裹——最小的1.5 x 0.8毫米——以及減少元件數(shù)量的獨(dú)特功能。我們的溫補(bǔ)晶振通過(guò)將同一包中的多個(gè)組件的功能組合在一起，從而減少了董事會(huì)空間。半導(dǎo)體公司正在將我們的硅MEMS諧振器集成到他們的足球/asics中，從而完全消除外部時(shí)鐘，簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。通過(guò)一個(gè)全新的全硅平臺(tái)，SiTime有著卓越的歷史成就。我們快速的技術(shù)突破是通過(guò)利用硅技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，結(jié)合了數(shù)十年的MEMS諧振器經(jīng)驗(yàn)和內(nèi)部模擬技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
    SiTime的MEMS技術(shù)起源于博世和斯坦福大學(xué)。在我們的創(chuàng)始人創(chuàng)立SiTime之前，他們花了數(shù)年時(shí)間，在德國(guó)的博世和加州的帕洛阿爾托研發(fā)挽救生命的MEMS解決方案。自2005年成立以來(lái)，SiTime公司開(kāi)發(fā)了幾代先進(jìn)的kHz和MHz MEMS貼片晶振，它們具有最高的性能、最小的漂移、最小的尺寸和最好的可靠性。我們還開(kāi)發(fā)了一個(gè)全面的開(kāi)發(fā)和仿真平臺(tái)，確保了我們所有MEMS諧振器的第一個(gè)硅成功。

    SiTime晶振,2016有源晶體,SiT1602晶振.包含一個(gè)可編程驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度特性，為特定應(yīng)用提供一個(gè)簡(jiǎn)單而靈活的工具來(lái)優(yōu)化時(shí)鐘上升/下降時(shí)間?？删幊舔?qū)動(dòng)強(qiáng)度功能的好處是：通過(guò)減慢時(shí)鐘上升/下降時(shí)間來(lái)改善系統(tǒng)輻射電磁干擾（EMI）•通過(guò)降低（加速）時(shí)鐘上升/下降時(shí)間來(lái)改善下游時(shí)鐘接收器（RX）抖動(dòng)•能夠在保持全速擺動(dòng)的情況下，以較高的邊沿速率驅(qū)動(dòng)大容量負(fù)載?？梢栽谧畲箅娙葚?fù)載下支持高達(dá)60 pF或更高的電壓，并可多達(dá)3個(gè)額外的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度設(shè)置。
    SiTime晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。2016石英晶體振蕩器,進(jìn)口OSC有源晶振,SiT1602晶振

清洗

    關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒(méi)有問(wèn)題，但這僅僅是對(duì)單個(gè)石英晶體振蕩器產(chǎn)品進(jìn)行試驗(yàn)所得的結(jié)果，因此請(qǐng)根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。
    由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近，容易受到共振破壞，因此請(qǐng)盡可能避免超聲波清洗。若要進(jìn)行超聲波清洗，必須事先根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。2016石英晶體振蕩器,進(jìn)口OSC有源晶振,SiT1602晶振
撞擊
    雖然進(jìn)口晶體振蕩器產(chǎn)品在設(shè)計(jì)階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性，但如果掉到地板上或者受到過(guò)度的撞擊，以防萬(wàn)一還是要檢查特性后再使用。
裝載
＜SMD產(chǎn)品＞
    SMD晶體產(chǎn)品支持自動(dòng)貼裝，但還是請(qǐng)預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測(cè)試，確認(rèn)其對(duì)特性沒(méi)有影響。 在切斷工序等會(huì)導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中，請(qǐng)注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊。 基于超聲波焊接的貼裝以及加工會(huì)使得有源貼片晶振產(chǎn)品（諧振器、振蕩器、濾波器）內(nèi)部傳播過(guò)大的振動(dòng)，有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩，因此不推薦使 用。
＜引線(xiàn)類(lèi)型產(chǎn)品＞
    當(dāng)引線(xiàn)彎折、成型以及貼裝到印制電路板時(shí)，請(qǐng)注意避免對(duì)基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕，從而引起性能劣化。SiTime晶振,2016有源晶體,SiT1602晶振
保管
    保管在高溫多濕的場(chǎng)所可能會(huì)導(dǎo)致端子軟焊性的老化。請(qǐng)?jiān)跊](méi)有直射陽(yáng)光，不發(fā)生結(jié)露的場(chǎng)所保管。

1、振蕩電路
貼片型晶體振蕩器是有源元件，因此不會(huì)受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線(xiàn)模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。SiTime晶振,2016有源晶體,SiT1602晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。
（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示
表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
2016mm封裝有源晶體振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。

限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于小體積有源晶振的類(lèi)型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。2016石英晶體振蕩器,進(jìn)口OSC有源晶振,SiT1602晶振
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類(lèi)型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司

聯(lián)系人：茹紅青

手機(jī)：13510569637

電話(huà)：0755-27837162

QQ號(hào)：657116624

微信公眾號(hào)：CITIZENCRYSTAL

搜狐公眾號(hào)：晶振石英晶振NDK晶振

郵箱：jinluodz@163.com

地址：深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號(hào)

網(wǎng)址：http://www.upap-pt.com/