京瓷晶振,貼片晶振,ST2012SB晶振,ST2012SB32768H5WZZAP晶振
頻率:32.768KHz
尺寸:2.0*1.2*0.5mm
京瓷的全球業(yè)務(wù)提供各種各樣的產(chǎn)品,包括先進(jìn)的材料、部件、設(shè)備、設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)工程和其他服務(wù)。這種廣泛的專業(yè)知識(shí)使京瓷能夠在一個(gè)給定的32.768K晶振產(chǎn)品線中集成全過程,從開發(fā)和生產(chǎn)到銷售和物流。這種資源的有效利用產(chǎn)生了全群體協(xié)同效應(yīng),產(chǎn)生了卓越的性能、功能和價(jià)值的產(chǎn)品。我們與我們的商業(yè)伙伴合作,促進(jìn)企業(yè)社會(huì)責(zé)任,確保人權(quán)、勞工權(quán)利和環(huán)境在整個(gè)供應(yīng)鏈中得到保護(hù)。京瓷晶振,貼片晶振,ST2012SB晶振,ST2012SB32768H5WZZAP晶振
根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn)。在我們的石英晶振環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識(shí)來提高他們的環(huán)保意識(shí)。確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開。通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。
京瓷晶振,貼片晶振,ST2012SB晶振,ST2012SB32768H5WZZAP晶振.貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
京瓷石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。ST2012SB32768H5WZZAP晶振,智能手環(huán)晶振,ST2012SB晶振
京瓷晶振 |
單位 |
ST2012SB晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
0.1μW Max. |
推薦:0.1μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±20× 10-6/-40°C ~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF、9pF、12.5pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C, DL =0.1μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。ST2012SB32768H5WZZAP晶振,智能手環(huán)晶振,ST2012SB晶振
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1)理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于音叉晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2)在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3)在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4)請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存進(jìn)口貼片晶振產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。京瓷晶振,貼片晶振,ST2012SB晶振,ST2012SB32768H5WZZAP晶振
(2)請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
1、振蕩電路
32.768K石英晶振是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。京瓷晶振,貼片晶振,ST2012SB晶振,ST2012SB32768H5WZZAP晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,2012晶振也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
的振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米。
限制流入時(shí)鐘晶體諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測(cè)量振蕩電路的特性來確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
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