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KDS晶振,石英晶振,SM-26F晶振

頻率：30.000KHz~100.000KHz

尺寸：2*6mm

貼片石英晶體諧振器,又簡稱為排帶包裝,這是這產(chǎn)品采用排帶盤式包裝,使產(chǎn)品在焊接時(shí)能采用SMT自動貼片機(jī)高速的焊接,大大節(jié)約人工,提高工作效率.32.768KHz千赫子時(shí)鐘晶體,其本身主要應(yīng)用在時(shí)鐘控制產(chǎn)品,或者是控制模塊,主要給時(shí)鐘芯片提供一個(gè)基準(zhǔn)信號,其主要各項(xiàng)功能還得看應(yīng)用何種產(chǎn)品.

訂購熱線：0755-27837162

晶振技術(shù)參數(shù)點(diǎn)擊下載

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KDS產(chǎn)品在業(yè)界屬于高端產(chǎn)品,其應(yīng)用偏向中高端市場. 接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
日本大真空,KDS晶振具有質(zhì)量穩(wěn)定,供貨量平穩(wěn),并且在國內(nèi)有生產(chǎn)線,貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

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KDS晶振,石英晶振,SM-26F晶振.32.768K插件音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
KDS石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

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KDS晶振	符號	SM-26F晶振	基本信息對照表
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	30.000KHz~100.000KHz
儲存溫度	T_stg	-40℃~+85℃	裸存
工作溫度	T_use	-40℃~+85℃	特定的溫度
激勵功率	DL	1.0μW (2.0μW Max.)	如你有最大激勵功率為10μW 需求,請聯(lián)系我們金洛鑫電子
精度	f_— l	±30ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點(diǎn)溫度	Ti	+25°C ±5°C
負(fù)載電容	CL	12.5pF	可按客戶需求指定
串聯(lián)電阻（ESR）	R1	70kΩ Max.	70kΩ ~ 45kΩ
頻率老化	f_age	±3×10-6/year Max.	+25℃, 第一年

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清洗
關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題，但這僅僅是對單個(gè)32.768K晶振產(chǎn)品進(jìn)行試驗(yàn)所得的結(jié)果，因此請根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。
由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近，容易受到共振破壞，因此請盡可能避免超聲波清洗。若要進(jìn)行超聲波清洗，必須事先根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。
撞擊
雖然日產(chǎn)晶振產(chǎn)品在設(shè)計(jì)階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性，但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊，以防萬一還是要檢查特性后再使用。
裝載
＜SMD產(chǎn)品＞
SMD晶體產(chǎn)品支持自動貼裝，但還是請預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測試，確認(rèn)其對特性沒有影響。在切斷工序等會導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中，請注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊。基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得SMD晶體產(chǎn)品（諧振器、振蕩器、濾波器）內(nèi)部傳播過大的振動，有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩，因此不推薦使用。
＜引線類型產(chǎn)品＞
當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時(shí)，請注意避免對基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕，從而引起性能劣化。KDS晶振,石英晶振,SM-26F晶振
保管
保管在高溫多濕的場所可能會導(dǎo)致端子軟焊性的老化。請?jiān)跊]有直射陽光，不發(fā)生結(jié)露的場所保管。

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明圓柱彎腳晶振所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加編帶32.768K晶振振蕩啟動時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3.負(fù)載電容
如果SM-26F彎角晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。KDS晶振,石英晶振,SM-26F晶振

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