精工晶振,SC-32T晶振,3215石英晶體
頻率:32.768KHZ
尺寸:3.2*1.5*0.6mm
型 號(hào):SC-32T晶振
封 裝:SMD貼片晶振
負(fù)載電容:7PF,9PF,12.5pf
工作溫度:-40~+85度
儲(chǔ)存溫度:-55~+125度
SEIKO是日本晶振制造商Seiko Instruments Inc.的縮寫,也成為SII。SII擁有世界上頂端的機(jī)械技術(shù)。除了是世界上著名的石英手表廠商,同時(shí)也生產(chǎn)電腦打印機(jī)。做電子元器件,在石英振子這一方面,SII也是做的非常之出色的,目前,能夠與日本精工晶振全球同等級(jí)競(jìng)爭(zhēng)的,只有日本大真空KDS。
精工晶振的代理商都知道精工常用的頻率都是32.768KHZ的,因此精工晶振通常也被稱為精工表晶。SEIKO生產(chǎn)的石英晶振型號(hào)并不是很多,但是質(zhì)量絕對(duì)可以和日產(chǎn)任何一個(gè)大品牌“媲美”。目前精工SEIKO已被列入全球晶振行業(yè)十強(qiáng)企業(yè)名單中。2012年精工SEIKO集團(tuán)在國(guó)內(nèi)投資1530萬(wàn)美元建設(shè)生產(chǎn)基地。更大的彌補(bǔ)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)高端晶體的需求。
精工晶振,SC-32T晶振,3215石英晶體
精工晶振 |
符號(hào) |
SC-32T晶振 |
精工晶振基本信息對(duì)照表 |
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768kHz |
|
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C — +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C — +85°C |
精工晶振特定的溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
0.5μW (1.0μW Max.) |
如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW需求,請(qǐng)聯(lián)系我們金洛電子 |
精度 |
f_— l |
±20 ppm |
如有需要更高的精度可以特定. |
拐點(diǎn)溫度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
|
負(fù)載電容 |
CL |
7pF, 9pF, 12.5pF |
可按客戶需求指定 |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ — 45kΩ |
頻率老化 |
f_age |
±3 ×10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
晶體無(wú)信號(hào)輸出
1-1.
請(qǐng)測(cè)量信號(hào)輸出的兩個(gè)終端水晶使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器。如果沒(méi)有信號(hào)輸出,請(qǐng)按照步驟1到步驟1 - 4執(zhí)行檢查。如果有信號(hào)輸出,終端的石英晶體(Xout),但在沒(méi)有信號(hào)輸出(新),請(qǐng)檢查后的水晶step1-5步驟1 - 6.
1-2.
請(qǐng)卸載水晶和測(cè)試頻率和負(fù)載電容是否他們振動(dòng),滿足你的規(guī)格使用專業(yè)測(cè)試機(jī)。你也可以寄給你的供應(yīng)商為你測(cè)試它。
1-3.
如果有下列情況發(fā)生,水晶不振動(dòng),其負(fù)載電容不匹配你的規(guī)范,或者是一個(gè)電流頻率和你的目標(biāo)之間的巨大差距的頻率,請(qǐng)把水晶給你的供應(yīng)商進(jìn)行質(zhì)量分析。如果頻率和負(fù)載電容滿足您的規(guī)格,我們需要進(jìn)行等效電路測(cè)試
1-4.
等效電路的測(cè)試
1-4-1.
一般來(lái)說(shuō),微處理器來(lái)自科耳皮茲電路的振蕩電路顯示如下:
Cd和Cg外部負(fù)載各,已建成的晶片組。(請(qǐng)參考規(guī)格的芯片集)
射頻是反饋電阻with200KΩmΩ~ 1。這是建在芯片設(shè)置一般。
Rd限制與470Ω~ 1 kΩ電阻器。這種抵抗是不常見(jiàn)的電路只有電路所需電源。
1-4-2。
穩(wěn)定的振蕩電路需要負(fù)電阻,其值應(yīng)至少五次的水晶阻力。它可以寫成| - r | > 5 Rr。
例如,要獲得一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路,集成電路的負(fù)電阻的值必須低于-200Ω當(dāng)晶體電阻的值40Ω。
1-4-3。
“負(fù)阻”是衡量標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,如老化、熱變化,電壓變化,等。,電路可能不振蕩如果“Q”的價(jià)值很低。因此,它是非常重要的衡量負(fù)阻(- r)遵循下面的說(shuō)明:
(1)連接電阻(R)的水晶系列
(2)調(diào)整R的值從一開(kāi)始就指出的停止點(diǎn)振蕩。
(3)在振動(dòng)測(cè)量R的值。
(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,| - R R + | = Rr,Rr =水晶阻力。
注:連接電路的寄生電容會(huì)影響測(cè)量值。
1-4-4。
如果晶體的參數(shù)是正常的,但它不是工作穩(wěn)步在振蕩電路中,我們將不得不找出集成電路的電阻值是否過(guò)低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來(lái)改善這樣的情況:
降低外部電容的值(Cd和Cg),和采取其他水晶與降低負(fù)載電容(CL)。
采用水晶阻力較低(Rr)。
使用不平等的設(shè)計(jì)值的Cd和Cg。我們可以提高Cd的負(fù)載電容(Xout)和降低負(fù)載電容的Cg(鑫)提高輸出的波形振幅鑫將用于后端電路。
1 - 5。
當(dāng)有信號(hào)輸出Xout但不新,它代表的電極后,后端電路的功耗是極其巨大的.我們可以添加一個(gè)緩沖的輸出電路之間及其后電極驅(qū)動(dòng)端電路.
1 - 6。
除了上面提到的1 - 5的方法,你也可以按照三種方法在步驟1-4-4。
請(qǐng)接觸晶體或IC制造商的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師為進(jìn)一步援助,如果你的問(wèn)題不能解決。
在技術(shù)文獻(xiàn)及產(chǎn)品應(yīng)用上, 石英晶體共振子的共振有三組不同定義及特性的共振頻率.
(1) 串聯(lián)諧振頻率及并聯(lián)諧振頻率 ( fs , fp )
(series resonance frequency and parallel resonance frequency)
(2) 諧振頻率及反諧振頻率 ( fr , fa )
(resonance frequency and anti-resonance frequency)
(3) 最大電導(dǎo)頻率及最小電導(dǎo)頻率 ( fm , fn )
(maximum admittance frequency minimum admittance frequency).
這三組頻率的導(dǎo)納(admittance)圖, 可以從(圖九)復(fù)數(shù)坐標(biāo)清楚的看到
Fig.9﹞ Complex Admittance of Resonators
串聯(lián)偕振頻率及并聯(lián)偕振頻率, fs and fp ,是分別由電導(dǎo)(real part of the admittance)最大和阻抗(real part of the electric input impedance)最大時(shí)的頻率.
諧振頻率及反諧振頻率, fr and fa , 分別是當(dāng)電導(dǎo)等于零(純電阻特性)的二個(gè)頻率. 在這個(gè)時(shí)候, fr 的阻抗為 1 / Rr 而fa 的阻抗為 1/ Ra.
在評(píng)估共振時(shí)的等效線路時(shí), 串聯(lián)諧振頻率及并聯(lián)諧振頻率, fs and fp , 是最重要的二個(gè)頻率參數(shù). 對(duì)于串聯(lián)諧振頻率及并聯(lián)諧振頻率( fs and fp )二者的關(guān)系, 我們可以用下列公式來(lái)表達(dá):
公式中的C1及 L1 分別是(圖七)中的動(dòng)態(tài)電容(motional capacitance)及動(dòng)態(tài)電感(motional conductance); Co 是靜態(tài)電容(shunt capacitance).
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