精工晶振,進口晶振,SC-16S晶振
頻率:32.768KHz
尺寸:1.6*1.0mm
精工研發(fā)出最小最輕的音叉晶振,體積僅有4.7*1.2mm(VT-120-F)。不過這款插件晶振的價格也是相比VT-200-F單價比較貴的。還有一款僅次于4.7*1.2mm(VT-120-F),為1.5*5.0mm(VT-150-F) 精工一款體積稍微比較大一點貼片晶振SSP-T2A,該貼片晶振具有的特性:高精度表面貼片型晶體諧振器具有耐熱、耐振、耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性。體積8.7*3.7mm,為四腳封裝貼片晶振。SC-16S晶體,超小型32.768K貼片晶振,二腳無源石英晶體諧振器
精工晶振,進口晶振,SC-16S晶振,是目前精工株式會社研發(fā)量產(chǎn)中較小的一款,體積只有1.6*1.0mm,雖然小到如同一顆米粒般大小,但SC-16S晶振仍然可以達到±20ppm的高精確度,最適合用于有小型化要求的電子產(chǎn)品上.
精工晶振 |
符號 |
SC-16S晶振 |
精工晶振基本信息對照表 |
Crystal標準頻率 |
f_nom |
32.768kHz |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C — +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C — +85°C |
精工晶振特定的溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.5μW (1.0μW Max.) |
如你有最大激勵功率為1.0μW需求,請聯(lián)系我們金洛電子 |
精度 |
f_— l |
±20ppm |
如有需要更高的精度可以特定. |
拐點溫度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
|
負載電容 |
CL |
7pF, 9pF, 12.5pF |
可按客戶需求指定 |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ — 45kΩ |
頻率老化 |
f_age |
±3 ×10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如SC-16S石英晶體諧振器從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。精工晶振,進口晶振,SC-16S晶振
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解超薄型貼片晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用高精度晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。SC-16S晶體,超小型32.768K貼片晶振,二腳無源石英晶體諧振器
靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2 Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。精工晶振,進口晶振,SC-16S晶振
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。SC-16S晶體,超小型32.768K貼片晶振,二腳無源石英晶體諧振器
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
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