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熱門關(guān)鍵詞 : 石英晶體諧振器進(jìn)口晶振精工晶振京瓷晶振西鐵城晶振鴻星晶振石英晶振加高晶振希華晶振NDK晶振村田晶振

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瑞康晶振,32.768K晶振,RTF3215晶振

頻率:32.768KHz

尺寸:3.2*1.5*0.7mm

32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定.
訂購熱線:0755-27837162
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RK-2

瑞康為當(dāng)代和后代的通信和定位技術(shù)提供了石英晶振產(chǎn)品和解決方案。然而,沒有改變的是瑞康的成功意愿,無論市場,地理位置還是競爭情景。瑞康不懈地與客戶合作,在影響當(dāng)今世界人們工作和娛樂方式的前沿技術(shù)和產(chǎn)品方面。 瑞康與世界上最大的一些技術(shù)品牌合作,實(shí)現(xiàn)了下一代解決方案。瑞康的Pluto™和Pluto +™TCXO產(chǎn)品是許多3層定時網(wǎng)絡(luò)的核心,是小型應(yīng)用的首選TCXO。
瑞康處于技術(shù)前沿,為不斷發(fā)展的行業(yè)提供解決方案,準(zhǔn)確了解市場需求,開發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品設(shè)計并將其與全球制造基地相結(jié)合。瑞康的產(chǎn)品系列包括低穩(wěn)定度晶體振蕩器(XO),壓控晶體振蕩器(VCXO)和晶體產(chǎn)品,通過高容量精密溫補(bǔ)晶振(TCXO),烤箱控制晶體振蕩器(OCXO),表面聲波(SAW) )振蕩器和專業(yè)產(chǎn)品,以實(shí)現(xiàn)極高的性能。SMD型千赫茲晶體,32.768K晶體諧振器,RTF3215晶振

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瑞康晶振,32.768K晶振,RTF3215晶振.貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性.
瑞康石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使貼片石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。

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瑞康晶振

單位

RTF3215晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C ~+105°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C ~ +85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

0.5μW Max.

推薦:1μW  100μW

頻率公差

f_— l

±10× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±10× 10-6 ~
±100× 10-6 可用)

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/

頻率溫度特征

f_tem

±10× 10-6/-40°C  +85°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

7pF、9pF、12.5PF

不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

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RB-3

RTF3215 3215

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操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。SMD型千赫茲晶體,32.768K晶體諧振器,RTF3215晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用進(jìn)口貼片晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致無源晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。瑞康晶振,32.768K晶振,RTF3215晶振
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致石英晶體諧振器振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。

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1、振蕩電路
3215兩腳貼片晶振是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。瑞康晶振,32.768K晶振,RTF3215晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計中,必須認(rèn)識到個體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。

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晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在32.768K石英晶體的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。

cptj11

限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。SMD型千赫茲晶體,32.768K晶體諧振器,RTF3215晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于貼片晶振32.768K的類型,頻帶和設(shè)備的價值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。

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       CM7V-T1A-32.768k-12.5pF-20PPM-TA-QA貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.微晶32.768K晶振CC7V-T1A,CC7V-T1A-32.768kHz-7pF-20PPM-TA-QC貼片晶體


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超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型晶體諧振器,手機(jī)晶體,產(chǎn)品體積小,特別適用于各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼產(chǎn)品,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
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金洛鑫產(chǎn)品系列

PRODUCT LINE

石英晶振
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諧振器濾波器
Resonator

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32.768K
32768Kcrystal

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