Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振
頻率:20.000MHz~80.000MHz
尺寸:2.0*1.6*0.5mm
成立于邁阿密,在1983年,Raltron電子公司已經(jīng)發(fā)展成為其中之一公認(rèn)的經(jīng)驗(yàn)豐富的頻率管理產(chǎn)品制造商在世界各地。從簡(jiǎn)單圓柱晶振到高穩(wěn)定性控制晶體振蕩器,Raltron提供最多全行業(yè)的頻率管理設(shè)備。Raltron通過(guò)全球獨(dú)立銷售網(wǎng)絡(luò)為全球客戶提供支持代表以及亞洲的幾個(gè)附屬辦事處,戰(zhàn)略地位于主要客戶附近和市場(chǎng)。該公司的產(chǎn)品由幾家大型全球經(jīng)銷商分銷目錄房屋以及區(qū)域經(jīng)銷商處理具體的市場(chǎng)。
Raltron自豪地為消費(fèi)電子市場(chǎng)提供晶體,調(diào)諧叉,時(shí)鐘振蕩器,鋸設(shè)備,陶瓷晶振,LTCC RF陶瓷產(chǎn)品和天線。該產(chǎn)品旨在滿足消費(fèi)者應(yīng)用的關(guān)鍵要求,如電池操作相關(guān)的低尺寸,小尺寸和低功耗。Raltron Electronics致力于為符合歐盟議會(huì)和2011年6月08日理事會(huì)2011/65 / EU指令的頻率管理設(shè)備提供限制在電氣和電子設(shè)備中使用某些有害物質(zhì)(RoHS指令)。Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振
Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振.外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測(cè)儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對(duì)應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
Raltron貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片石英晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。低頻率小體積晶振,2016四腳石英晶振,R2016晶振
Raltron晶振 |
單位 |
R2016晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
20.000MHz~80.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+60°C/-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50×10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±10~±50×10-6/-20°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF~22pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C~+60°C, DL=100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5×10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。低頻率小體積晶振,2016四腳石英晶振,R2016晶振
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明2016貼片晶振所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振
2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加小體積貼片晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
3. 負(fù)載電容
如果2016小尺寸晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。低頻率小體積晶振,2016四腳石英晶振,R2016晶振
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機(jī):13510569637
電話:0755-27837162
QQ號(hào):657116624
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JLX-PD
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