NSK晶振,進(jìn)口石英晶體,NXC-63晶振
頻率:10.000MHz~125.000MHz
尺寸:6.2*3.7*1.2mm
EG晶體、Crystal oscillators、壓控晶振的主要和關(guān)鍵的電子產(chǎn)品的一部分。jenjaan支持的客戶提供高質(zhì)量的晶體元件在電子產(chǎn)品的廣泛使用,例如,無(wú)線、電信、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算機(jī)及外圍設(shè)備、GSM等通信設(shè)備。JenJaan一直支持臺(tái)灣與國(guó)際客戶提供質(zhì)量晶體超過(guò)10年。NSK 之環(huán)境管制物質(zhì)控制規(guī)範(fàn),係依 "歐盟 RoHS 指令標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)"、"REACh 法規(guī)"、"SONY 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) SS-00259" 以及其他客戶要求 NSK 之環(huán)境管制物質(zhì)控制規(guī)範(fàn)。
NSK津綻晶振實(shí)業(yè)公司從研發(fā)生產(chǎn)到銷售所使用的材料均符合ROHS環(huán)保要求,所生產(chǎn)的石英晶振晶體達(dá)到了歐盟環(huán)保要求.NSK購(gòu)買的所有部件和材料都是經(jīng)過(guò)檢查嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的制造商所提供.都會(huì)經(jīng)過(guò)廣泛的電氣以及環(huán)境測(cè)試,確保質(zhì)量上不會(huì)存在錯(cuò)誤,其中包括•老化•溫度測(cè)試•溫度循環(huán)•溫度沖擊•機(jī)械沖擊•微跳•穩(wěn)定烤•加速度•加速度靈敏度•好/總泄漏•隨機(jī)振動(dòng)振動(dòng)•耐溶劑•可焊性.
NSK晶振,進(jìn)口石英晶體,NXC-63晶振.貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
津綻石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì):石英晶體諧振器產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波。第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單,第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求。6.0*3.5金屬封裝晶振,高頻貼片無(wú)源晶體,NXC-63晶振
NSK晶振 |
單位 |
NXC-63晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
10.000MHz~125.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C~+70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:0.1μW~1000μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±10~ ±100× 10-6/-20°C ~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
6pF~32pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-20°C~+70°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。6.0*3.5金屬封裝晶振,高頻貼片無(wú)源晶體,NXC-63晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致無(wú)源晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。NSK晶振,進(jìn)口石英晶體,NXC-63晶振
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞高精度晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
1、振蕩電路
6035石英晶振是無(wú)源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。NSK晶振,進(jìn)口石英晶體,NXC-63晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。
(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
6035貼片晶振振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于進(jìn)口晶體諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。6.0*3.5金屬封裝晶振,高頻貼片無(wú)源晶體,NXC-63晶振
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
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