NSK晶振,插件石英晶體,NXA UM-1晶振
頻率:3.500MHz~160.000MHz
尺寸:8.0*3.2*mm
津綻石英科技股份有限公司擁有超過 10 年以上的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),秉持著持續(xù)開發(fā)與專業(yè)技術(shù)支持,提供使用者最佳的解決方案及最好的服務(wù)品質(zhì)。 NSK 之環(huán)境管制物質(zhì)控制規(guī)範(fàn),係依 "歐盟 RoHS 指令標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)"、"REACh 法規(guī)"、"SONY 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) SS-00259" 以及其他客戶要求 NSK 之環(huán)境管制物質(zhì)控制規(guī)範(fàn)。我們的主要生產(chǎn)產(chǎn)品為全系列石英晶體振蕩器(DIP & SMD X'TAL),晶體振盪器 (SMD OSCILLATOR) 和電壓晶體控制振盪器 (SMD VCXO)。
NSK津綻晶振集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意. 對(duì)我們的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn),同時(shí)告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對(duì)環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.
NSK晶振,插件石英晶體,NXA UM-1晶振.扁殼形引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長(zhǎng)時(shí)間大量庫存常用頻點(diǎn),.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負(fù)載電容,49/S石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.
津綻石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。橢圓形扁殼DIP晶體,環(huán)保插件晶振,NXA UM-1晶振
NSK晶振 |
單位 |
NXA UM-1晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.500MHz~160.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-20°C~ +70°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:0.1μW~1000μW |
頻率公差 |
f_— l |
±5× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±5~ ±50× 10-6/-20°C ~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF~32pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-20°C~+70°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
清洗
關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題,但這僅僅是對(duì)單個(gè)石英晶體諧振器產(chǎn)品進(jìn)行試驗(yàn)所得的結(jié)果,因此請(qǐng)根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。
由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近,容易受到共振破壞,因此請(qǐng)盡可能避免超聲波清洗。若要進(jìn)行超聲波清洗,必須事先根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。橢圓形扁殼DIP晶體,環(huán)保插件晶振,NXA UM-1晶振
撞擊
雖然SMD晶振產(chǎn)品在設(shè)計(jì)階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊,以防萬一還是要檢查特性后再使用。
裝載
<SMD產(chǎn)品>
SMD晶體產(chǎn)品支持自動(dòng)貼裝,但還是請(qǐng)預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測(cè)試,確認(rèn)其對(duì)特性沒有影響。在切斷工序等會(huì)導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中,請(qǐng)注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊?;诔暡ê附拥馁N裝以及加工會(huì)使得無源晶振產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、濾波器)內(nèi)部傳播過大的振動(dòng),有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使 用。
<引線類型產(chǎn)品>
當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時(shí),請(qǐng)注意避免對(duì)基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕,從而引起性能劣化。NSK晶振,插件石英晶體,NXA UM-1晶振
保管
保管在高溫多濕的場(chǎng)所可能會(huì)導(dǎo)致端子軟焊性的老化。請(qǐng)?jiān)跊]有直射陽光,不發(fā)生結(jié)露的場(chǎng)所保管。
設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明49U插件石英晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。橢圓形扁殼DIP晶體,環(huán)保插件晶振,NXA UM-1晶振
2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)無源插件晶振增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致石英水晶振子振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。NSK晶振,插件石英晶體,NXA UM-1晶振
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機(jī):13510569637
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QQ號(hào):657116624
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