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NDK晶振,貼片晶振,NX5032SD晶振,進(jìn)口石英晶振
頻率：9.75~40MHZ
尺寸：4.9*3.1*0.90mm
NDK晶振集團(tuán)所處于的事業(yè)環(huán)境是智能手機(jī)市場的擴(kuò)大已在延緩，但伴隨著LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等帶來的搭載部件的構(gòu)成的變化，使得TCXO(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器)和SAW（彈性表面波）器件的需要在急速增加。由此，本集團(tuán)將方針轉(zhuǎn)換至面向量產(chǎn)市場的產(chǎn)品的再強(qiáng)化上，把均衡縮減戰(zhàn)略切換成成長戰(zhàn)略。并且展開在產(chǎn)業(yè)設(shè)備、車載、傳感器領(lǐng)域，利用高的品質(zhì)力和技術(shù)力用實(shí)力強(qiáng)的產(chǎn)品創(chuàng)造出利益的中期銷售計(jì)劃。通過贏得客戶的高評價和高信賴來確保持續(xù)的成長和安定的收益，來努力達(dá)成銷售額500億日元企業(yè)的復(fù)活的目標(biāo)。超薄金屬面晶體諧振器,5032mm陶瓷石英晶振,NX5032SD晶振
日本NDK晶振集團(tuán)創(chuàng)造利益，提升企業(yè)價值的同時，為了繼續(xù)提升企業(yè)的價值，我們認(rèn)為維持經(jīng)營的透明性，確實(shí)盡到對各位股份持有者說明的責(zé)任這樣的公司治理的構(gòu)筑必不可少，我們把其放在經(jīng)營最重要的課題之一的位置。日本于2015年6月制定了公司治理石英晶振準(zhǔn)則，由此我們迎來了兩位外部董事。加大強(qiáng)化相關(guān)經(jīng)營監(jiān)察機(jī)能、遵守法律，確保說明責(zé)任，迅速且適當(dāng)?shù)毓夹畔?，履行環(huán)境保全等的社會責(zé)任，而從使我們能繼續(xù)成為所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企業(yè)。
NDK晶振,貼片晶振,NX5032SD晶振,進(jìn)口石英晶振,小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對應(yīng)10.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù)：是超小型、超低頻石英貼片晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問題，為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式，通過結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動不穩(wěn)定。超薄金屬面晶體諧振器,5032mm陶瓷石英晶振,NX5032SD晶振
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NDK晶振 |
單位 |
NX5032SD晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
9.75MHz~40MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:10μW~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±15 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-10°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
12pF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C~+60°C, DL =500μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
所有石英晶體諧振器和實(shí)時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。NDK晶振,貼片晶振,NX5032SD晶振,進(jìn)口石英晶振
未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的進(jìn)口石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
超聲波清洗:(1)使用AT-切割晶體和表面面濾波器波（SAW）/聲表面諧振器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進(jìn)行清洗。但是,在某些條件下, 晶振特性可能會受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫д窨赡苁艿狡茐?。?）請勿清洗開啟式晶振產(chǎn)品（4）對于可清洗晶振產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。（5）焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。超薄金屬面晶體諧振器,5032mm陶瓷石英晶振,NX5032SD晶振
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致5032mm晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。NDK晶振,貼片晶振,NX5032SD晶振,進(jìn)口石英晶振
5032mm石英晶振測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.
晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在5032無源晶振的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂?a title="智能穿戴設(shè)備晶振" target="_blank">智能穿戴設(shè)備晶振電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
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電話：0755-27837162
QQ號：657116624
微信公眾號：CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號：晶振石英晶振NDK晶振
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