NDK晶振,貼片晶振,NX5032SA晶振,進口晶振
頻率:11~40MHZ
尺寸:4.9*3.1*0.75mm
NDK晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā)。環(huán)境政策,在其業(yè)務活動的所有領域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,NDK集團業(yè)務政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動。NDK晶振將:通過適當控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán)。通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖。避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn)。遵守有關環(huán)境保護的法律、標準、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。薄型車載優(yōu)勢晶振,5.0x3.2mm四腳晶體,NX5032SA晶振
NDK集團將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少石英晶振廢物產(chǎn)生和排放。我們將在關注于預防環(huán)境和安全事故,保護公眾健康的同時,努力改進我們的操作。我公司將積極參與加強公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意。 NDK晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應用國際標準以及適用的法律法規(guī)。為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系。消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準備,以便及時做出反應。
NDK晶振,貼片晶振,NX5032SA晶振,進口晶振,智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
晶振高精密點膠技術:無源晶振晶片膠點的位置、大小:位置準確度以及膠點大小一致性,通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運用、使石英晶振晶片的點膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點上導電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號。3.4.1、點膠時應注意膠點的大小和位置。不宜過大或過小。(生產(chǎn)現(xiàn)場應該有很多照片)3.4.2、導電膠應注意有效期、儲存溫度、開蓋次數(shù)、充分攪拌、室溫放置時間、烤膠最高溫度、烤膠時間、升溫速率、升溫起始最高溫度。3.5、微調(diào):使用真空鍍膜原理,微調(diào)晶體諧振器的頻率達到規(guī)定要求(標稱值/目標值)。也有離子刻蝕法進行微調(diào)。薄型車載優(yōu)勢晶振,5.0x3.2mm四腳晶體,NX5032SA晶振
NDK晶振 |
單位 |
NX5032SA晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
11.000MHz~40.000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C~+75°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:50μW~500μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±10 × 10-6/-10°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
10pF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C~+60°C, DL =500μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性:將無源SMD晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息。NDK晶振,貼片晶振,NX5032SA晶振,進口晶振
每個封裝類型的注意事項:陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品在焊接陶瓷晶振封裝和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進行電路板切割時,務必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。陶瓷包裝石英晶振:在一個不同擴張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。
(3)柱面式產(chǎn)品:產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當石英貼片晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當該引腳需修復時,請勿拉伸,托住彎曲部分進行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負機器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。薄型車載優(yōu)勢晶振,5.0x3.2mm四腳晶體,NX5032SA晶振
振蕩補償:除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加5032SMD晶振振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。NDK晶振,貼片晶振,NX5032SA晶振,進口晶振
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量5032mm石英晶振頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在5032無源晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是通過5032石英晶體諧振器輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
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JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
PRODUCT LINE
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