NDK晶振,貼片晶振,NX3225SA晶振,貼片晶體諧振器
頻率:12~150MHZ
尺寸:3.2*2.5*0.55mm
日本電波工業(yè)株式會社作為晶體元器件的專業(yè)生產廠家,以“通過對客戶的服務,為社會繁榮和世界和平作出貢獻”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎于1948年成立?,F(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的石英晶體諧振器元器件產品以及應用。晶振技術的傳感器等新的高附加價值產品的頻率綜合生產廠家,正以企業(yè)的繼續(xù)成長為目標而努力。迅速且適當?shù)毓夹畔?,履行環(huán)境保全等的社會責任,而從使我們能繼續(xù)成為所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企業(yè)。進口車載系列晶體,耐振高精度3225晶振,NX3225SA晶振
NDK晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產品的開發(fā)。環(huán)境政策,在其業(yè)務活動的所有領域,從開發(fā)、生產和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,NDK集團業(yè)務政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動。NDK晶振將:通過適當控制環(huán)境影響的物質,減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán)。通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖。避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產。
NDK晶振,貼片晶振,NX3225SA晶振,貼片晶體諧振器,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對應,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
石英晶振的研磨技術:通過對晶振切割整形后的晶片進行研磨,使石英晶振的晶片達到(厚度/頻率)的一定范圍。貼片石英晶振晶片厚度與頻率的關系為:在壓電晶體行業(yè),生產晶振頻率的高低是顯示鴻星技術水平的一個方面,通過理論與實際相結合,累積多年的晶振研磨經(jīng)驗,通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術,注重貼片晶振研磨過程的各種細節(jié),注重晶振所用精磨研磨設備的選擇;注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重石英晶振研磨用工裝如:游輪的設計及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄,貼片晶振晶片的頻率越來越高,為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產打下堅實基礎,提升了晶振廠家的競爭力,使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產領先于國內其它公司。進口車載系列晶體,耐振高精度3225晶振,NX3225SA晶振
NDK晶振 |
單位 |
NX3225SA晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
12.00MHz~150.000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C~+75°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10~200μW Max. |
推薦:10μW~200μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10,±15,±20× 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±150× 10-6/-40°C ~+150°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
10pF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~ +150°C, DL = 10μW |
頻率老化 |
f_age |
±12× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
請測量使用示波器或頻率計數(shù)器石英晶振的兩個端子的信號,如果頻率不在規(guī)定范圍內,它的輸出波形的幅度是不夠的(例如超過+/-200ppm的),請按照步驟2-3步驟2-5。The formula for Capacitances versus Frequency is as following:該公式的電容與頻率是如下:該曲線代表電容變化與頻率變化(頻率pullability)變化的變化:NDK晶振,貼片晶振,NX3225SA晶振,貼片晶體諧振器
FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where
該曲線代表電容變化與頻率變化(頻率pullability)變化的變化:如果由頻率計數(shù)器測量的頻率比目標頻率高,要增加12M晶振的電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標頻率,反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調整頻率。如果它的改善,這表示該電路的原始設計不是調諧到最佳共振點為晶體的情況。該晶振應正常后,諧振點的調整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標頻率,我們可以通過以下三種方法改進:方法1:降低產品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過晶體具有較低負載電容(CL)。方法2:采用小電阻(RR)的晶體。方法3:使用鎘和CG的不等價的設計。
我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本,保證安全。請用頻率計數(shù)器來測量所述SMD石英晶體,以確保經(jīng)調整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進行了改進。如果頻率不符合規(guī)格,請采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標頻率。請采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會偏差很大。進口車載系列晶體,耐振高精度3225晶振,NX3225SA晶振
驅動能力:驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,3225SMD晶振其計算公式如下:驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。NDK晶振,貼片晶振,NX3225SA晶振,貼片晶體諧振器
3225晶振測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應盡可能短。? 測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應使用帶有小的內部阻抗的電表。? 使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線。)
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在工業(yè)級無源晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。接觸振蕩電路。探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。
探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的3225石英晶振電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。
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