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NDK晶振,貼片晶振,NX3225GB晶振,NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2晶振

頻率：20.000MHz

尺寸：3.2*2.5*0.75mm

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

晶振技術(shù)參數(shù)點(diǎn)擊下載

NDK-1

日本NDK晶振集團(tuán)創(chuàng)造利益，提升企業(yè)價(jià)值的同時(shí)，為了繼續(xù)提升企業(yè)的價(jià)值，我們認(rèn)為維持經(jīng)營的透明性，確實(shí)盡到對(duì)各位股份持有者說明的責(zé)任這樣的公司治理的構(gòu)筑必不可少，我們把其放在經(jīng)營最重要的課題之一的位置。NDK集團(tuán)作為頻率的綜合生產(chǎn)企業(yè)，為了向客戶提供高信賴性品質(zhì)的產(chǎn)品，我們始終追求最高品質(zhì)的產(chǎn)品生產(chǎn)和服務(wù)，以「通過對(duì)客戶的服務(wù)，為社會(huì)繁榮和世界和平作貢獻(xiàn)」這樣的公司創(chuàng)業(yè)理念作為我們的使命。
NDK集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源，以便從源頭減少時(shí)鐘晶振生產(chǎn)過程的廢物產(chǎn)生和排放。我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故，保護(hù)公眾健康的同時(shí)，努力改進(jìn)我們的操作。我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng)，提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意。 NDK晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī)。為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系。NDK晶振,貼片晶振,NX3225GB晶振,NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2晶振

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NDK晶振,貼片晶振,NX3225GB晶振,NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2晶振.3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
NDK石英晶振曲率半徑加工技術(shù)：3225晶振晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù)，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時(shí)球面測量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則（曲率半徑公式的計(jì)算）。NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2晶振,3225汽車晶振,NX3225GB晶振

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RB-1

NDK晶振	單位	NX3225GB晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	12.000MHz~50.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C~+150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+150°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	10μW Max.	推薦:10μW~200μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±150× 10^-6/-40°C ~+150°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C~ +150°C, DL = 10μW
頻率老化	f_age	±5× 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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RB-3

NX3225GB-CRA-2 3.2_2.5

JLX-4

抗沖擊
3225mm晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2晶振,3225汽車晶振,NX3225GB晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致陶瓷面貼片晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。NDK晶振,貼片晶振,NX3225GB晶振,NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2晶振
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞3225貼片晶振，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。

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輸出波形與測試電路
1.時(shí)序表

scbx_1

2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。NDK晶振,貼片晶振,NX3225GB晶振,NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線。）NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2晶振,3225汽車晶振,NX3225GB晶振