NDK晶振,貼片晶振,NX2016GC晶振
頻率:16.000MHz~50.000MHz
尺寸:2.0*1.6*0.8mm
日本NDK晶振集團(tuán)創(chuàng)造利益,提升企業(yè)價(jià)值的同時(shí),為了繼續(xù)提升企業(yè)的價(jià)值,我們認(rèn)為維持經(jīng)營的透明性,確實(shí)盡到對各位股份持有者說明的責(zé)任這樣的公司治理的構(gòu)筑必不可少,我們把其放在經(jīng)營最重要的課題之一的位置。在ADAS(先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng))所使用的車載相機(jī)和倒車?yán)走_(dá)、遠(yuǎn)程信息處理等用途,晶體元器件的需求也呈現(xiàn)增加的趨勢。因此,我們會開發(fā)TCXO(溫補(bǔ)晶振)、ICXO(鐘用晶體振蕩器)、SAW器件等的車載用高信賴性產(chǎn)品并擴(kuò)大其銷售。
致力于環(huán)境保護(hù),包括預(yù)防污染。在貼片晶振產(chǎn)品的規(guī)劃到制造、運(yùn)行維修等整個過程中,努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務(wù)。在業(yè)務(wù)活動中,努力節(jié)約資源并節(jié)省能源,致力于減少廢棄物和再生資源的回收利用。在積極公開有關(guān)環(huán)境的信息的同時(shí),通過支持環(huán)?;顒?,廣泛地為社會作貢獻(xiàn)。致力于保護(hù)生物多樣性和可持續(xù)利用。切實(shí)運(yùn)行環(huán)境管理系統(tǒng)PDmCA(Plan-Do-multiple Check-Act),努力提高環(huán)境性能,不斷改善運(yùn)用系統(tǒng)。NDK晶振,貼片晶振,NX2016GC晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX2016GC晶振.2016mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
NDK石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。2016陶瓷面晶體,二腳壓電石英晶振,NX2016GC晶振
NDK晶振 |
單位 |
NX2016GC晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
16.000MHz~50.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+150°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+150°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
10μW Max. |
推薦:10μW~200μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±150× 10-6/-40°C ~+150°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~ +150°C, DL = 10μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
<晶體諧振器>
如果過大的激勵電力對無源晶振外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請?jiān)谛麄鲀?、?guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍 以上。2016陶瓷面晶體,二腳壓電石英晶振,NX2016GC晶振
<晶體振蕩器>
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些貼片有源晶振沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí),請?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關(guān)于個別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書。
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請?jiān)?b>聲表濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
<光學(xué)產(chǎn)品>
由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。NDK晶振,貼片晶振,NX2016GC晶振
1、設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明2016石英晶體所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。NDK晶振,貼片晶振,NX2016GC晶振
2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加陶瓷面兩腳晶振振蕩啟動時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
3.負(fù)載電容
如果2016貼片晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。2016陶瓷面晶體,二腳壓電石英晶振,NX2016GC晶振
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機(jī):13510569637
電話:0755-27837162
QQ號:657116624
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搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
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JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
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