NDK晶振,石英晶振,NR-2C晶振,無(wú)源晶振
頻率:10~150MHZ
尺寸:6.9*6.0mm
日本NDK晶振集團(tuán)創(chuàng)造利益,提升企業(yè)價(jià)值的同時(shí),為了繼續(xù)提升企業(yè)的價(jià)值,我們認(rèn)為維持經(jīng)營(yíng)的透明性,確實(shí)盡到對(duì)各位股份持有者說(shuō)明的責(zé)任這樣的公司治理的構(gòu)筑必不可少,我們把其放在經(jīng)營(yíng)最重要的課題之一的位置。日本于2015年6月制定了公司治理準(zhǔn)則,由此我們迎來(lái)了兩位外部董事。加大強(qiáng)化相關(guān)經(jīng)營(yíng)監(jiān)察機(jī)能、遵守法律,確保說(shuō)明責(zé)任,迅速且適當(dāng)?shù)毓夹畔?,履行環(huán)境保全等的社會(huì)責(zé)任,而從使我們能繼續(xù)成為所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企業(yè)。高可靠性DIP石英晶體,6.9*6.0毫米49U晶振,NR-2C晶振
本集團(tuán)會(huì)針對(duì)以下產(chǎn)品群,迅速對(duì)應(yīng)市場(chǎng)的動(dòng)向,強(qiáng)化晶振新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)的投入。④ 一般量產(chǎn)品:面向移動(dòng)體通信市場(chǎng),我們會(huì)進(jìn)行TCXO晶振的增產(chǎn)和擴(kuò)大銷售;面向AV/OA市場(chǎng),我們會(huì)開(kāi)發(fā)具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的新產(chǎn)品作為針對(duì)IoT(物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng))的標(biāo)準(zhǔn)品并擴(kuò)大其銷售。⑤ 感應(yīng)器器件:基于醫(yī)療?看護(hù)?護(hù)理的需求的增大,我們會(huì)進(jìn)行攜帶型簡(jiǎn)易超聲波感應(yīng)器的開(kāi)發(fā)和擴(kuò)大銷售。還有以食品檢查為中心的QCM感應(yīng)器的擴(kuò)大銷售也會(huì)進(jìn)行。
NDK晶振,石英晶振,NR-2C晶振,無(wú)源晶振,引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉(cāng)庫(kù)長(zhǎng)時(shí)間大量庫(kù)存常用頻點(diǎn),高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻,常用負(fù)載電容.49/S石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力,主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無(wú)鉛.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。高可靠性DIP石英晶體,6.9*6.0毫米49U晶振,NR-2C晶振
NDK晶振 |
單位 |
AT_41CD2晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.00MHz~75.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:10μW~200μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30× 10-6/-40°C ~+150°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
16pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~ +150°C, DL = 10μW |
頻率老化 |
f_age |
±50× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
進(jìn)口晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來(lái)滿足它的規(guī)格要求。通過(guò)嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安 裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。NDK晶振,石英晶振,NR-2C晶振,無(wú)源晶振
7-1:機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管日產(chǎn)晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。 7-2:PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。 存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這插件晶振產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。高可靠性DIP石英晶體,6.9*6.0毫米49U晶振,NR-2C晶振
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在石英晶體諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。NDK晶振,石英晶振,NR-2C晶振,無(wú)源晶振
適當(dāng)?shù)目刂?a title="49U晶振" target="_blank">49U晶振電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器(C1,C2)。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
此外,振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)DIP晶振電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致插件石英晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
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JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
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石英晶振
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