瑞士大微晶晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求，從事環(huán)保產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。環(huán)境政策，在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域，從開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器，集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng)。瑞士微晶晶振將：通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì)，減少能源的使用，以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源，防止環(huán)境污染，減少和妥善處理廢物，包括再利用和再循環(huán)。通過(guò)開(kāi)展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖。避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn)。遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。歐美進(jìn)口DIP曲腳晶體,6120無(wú)源彎腳晶振,MS1V-T1K晶振
      微晶在瑞士、泰國(guó)建有生產(chǎn)中心，及遍布世界各地的代表處。我們所有的石英晶振產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證，并達(dá)到RoHS，REACh等規(guī)范的要求。全球約550個(gè)員工的責(zé)任感和奉獻(xiàn)精神是我們成功的基石。我們對(duì)管理、環(huán)境、社會(huì)責(zé)任都有明確的行為準(zhǔn)則（比如對(duì)有爭(zhēng)議的原材料的問(wèn)題上），這些是我們?cè)谖磥?lái)保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的主要原因。微晶玻璃（MC）的管理、環(huán)境與社會(huì)責(zé)任原則執(zhí)行（MES）大綱標(biāo)準(zhǔn)，以確保MC設(shè)備的工作條件，以及供應(yīng)鏈合作伙伴的活動(dòng)支持MC的要求，是安全的，工人是尊重和尊嚴(yán)對(duì)待，以及制造過(guò)程使用MC和它的作伙伴對(duì)環(huán)境負(fù)責(zé)。

        微晶晶振,石英晶振,MS1V-T1K晶振,無(wú)源晶振,32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
      插件晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù)：石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大?。何恢脺?zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性，通過(guò)圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上，點(diǎn)上導(dǎo)電膠，并高溫固化，通過(guò)彈簧即可引出電信號(hào)。3.4.1、點(diǎn)膠時(shí)應(yīng)注意膠點(diǎn)的大小和位置。不宜過(guò)大或過(guò)小。（生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)該有很多照片）3.4.2、導(dǎo)電膠應(yīng)注意有效期、儲(chǔ)存溫度、開(kāi)蓋次數(shù)、充分?jǐn)嚢?、室溫放置時(shí)間、烤膠最高溫度、烤膠時(shí)間、升溫速率、升溫起始最高溫度。3.5、微調(diào)：使用真空鍍膜原理，微調(diào)晶體諧振器的頻率達(dá)到規(guī)定要求（標(biāo)稱(chēng)值/目標(biāo)值）。也有離子刻蝕法進(jìn)行微調(diào)。歐美進(jìn)口DIP曲腳晶體,6120無(wú)源彎腳晶振,MS1V-T1K晶振 

         插件型晶振安裝注意事項(xiàng)：安裝時(shí)的注意事項(xiàng)導(dǎo)腳型晶振• 構(gòu)造圓柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2)。微晶晶振,石英晶振,MS1V-T1K晶振,無(wú)源晶振

      修改插件晶振彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí)，以及要取出晶振等情況下不能強(qiáng)制拔出導(dǎo)腳，如果強(qiáng)制地拔出32.768導(dǎo)腳晶振，會(huì)引起玻璃的破裂，而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降，有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3)。(2) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí)，要壓住外殼基側(cè)的導(dǎo)腳，且從上下方壓住彎曲的部位，再進(jìn)行修改(參閱圖 4)。歐美進(jìn)口DIP曲腳晶體,6120無(wú)源彎腳晶振,MS1V-T1K晶振

        彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 將導(dǎo)腳彎曲之后并進(jìn)行焊接時(shí)，導(dǎo)腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位。如果不留出導(dǎo)腳的直線部位而將導(dǎo)腳彎曲，有可能導(dǎo)致玻璃的破碎 (參閱圖5 和圖6)。(2) 在導(dǎo)腳焊接完畢之后再將導(dǎo)腳彎曲時(shí)，務(wù)必請(qǐng)留出大于外殼直徑長(zhǎng)度的空閑部分 (參閱圖7)。如果直接在外殼部位焊接，會(huì)導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,使晶振特性惡化以及晶振芯片的破損。應(yīng)注意將音叉型晶振平放時(shí)，不要使之與導(dǎo)腳相碰撞，請(qǐng)放長(zhǎng)從外殼部位到線路板為止的導(dǎo)腳長(zhǎng)度 (L) ，并使之大于外殼的直徑長(zhǎng)度(D)。

       振蕩補(bǔ)償：除非在彎腳晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。微晶晶振,石英晶振,MS1V-T1K晶振,無(wú)源晶振

        測(cè)試條件(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量進(jìn)口石英晶體諧振器頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

        2.角色的分量與參考值:在消費(fèi)電子產(chǎn)品用晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

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