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熱門關(guān)鍵詞 : 石英晶體諧振器進(jìn)口晶振精工晶振京瓷晶振西鐵城晶振鴻星晶振石英晶振加高晶振希華晶振NDK晶振村田晶振

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村田晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振

頻率:37.4MHZ

尺寸:1.2*1.0*0.33mm

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
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極小型1210輕薄時(shí)鐘晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振

        自1944年創(chuàng)業(yè)以來,村田得到了巨大的發(fā)展,在2013年度制定的中期構(gòu)想最終年度的2015年度,石英晶振營業(yè)額達(dá)到了在村田的歷史上具有里程碑意義的萬億日元。在此衷心感謝廣大客戶和各利益相關(guān)方長期以來的大力支持。世界經(jīng)濟(jì)的前景雖不明朗,但電子設(shè)備社會正在迅速、切實(shí)地向前發(fā)展。而這樣的變化也為村田帶來了新的商機(jī)。村田制定了新的“中期構(gòu)想2018”以及“長期構(gòu)想”,指明了為電子設(shè)備社會的發(fā)展做貢獻(xiàn)的未來發(fā)展之路。極小型1210輕薄時(shí)鐘晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振
     此外,我們也將把汽車、能源、醫(yī)療保健作為重點(diǎn)市場,并提供只有村田才能實(shí)現(xiàn)的價(jià)值。在新感應(yīng)技術(shù)及通信技術(shù)需求不斷提高的IoT社會,村田將作為一個(gè)重要的參與者來體現(xiàn)其存在的價(jià)值,并不斷強(qiáng)化制造、技術(shù)開發(fā)及人才開發(fā)等事業(yè)基礎(chǔ)。村田的發(fā)展永無止境,而在新的發(fā)展過程中“經(jīng)營理念”也將始終是各項(xiàng)工作的基礎(chǔ)。我們要讓分布在世界各地的全體村田員工充分理解村田的“經(jīng)營理念”,使村田永遠(yuǎn)成為為客戶和社會而存在的企業(yè)。

       村田晶振,MCR1210晶,XRCED37M400FXQ52R0晶振,小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對應(yīng)37.4000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
     石英晶振真空退火技術(shù):SMD晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。極小型1210輕薄時(shí)鐘晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振

TXC晶振

單位

MCR1210晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

12~54MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

工作溫度

T_use

-30°C~+85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

100μW Max.

推薦:100μW 

頻率公差

f_— l

±20×10-6 (標(biāo)準(zhǔn))

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/

頻率溫度特征

f_tem

(±10)×10-6/-20°C~+70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

6pF

不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

60?


頻率老化

f_age

±3×10-6/ year Max.

+25°C,第一年

極小型1210輕薄時(shí)鐘晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振

極小型1210輕薄時(shí)鐘晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振

極小型1210輕薄時(shí)鐘晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振

        所有產(chǎn)品的共同點(diǎn):1:抗沖擊:抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射。 3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。 村田晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振
      4:粘合劑:請勿使用可能導(dǎo)致進(jìn)口晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。) 5:鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6:靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。
      晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請?jiān)?b>進(jìn)口貼片規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會有所差別。極小型1210輕薄時(shí)鐘晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振

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         驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明1210mm金屬面石英晶體振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。村田晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振

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       測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測量頻率時(shí),探頭阻抗將高于1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過1210nn石英晶體振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線)

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       1、振蕩電路:晶體諧振器是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定1210mm貼片晶振振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。

極小型1210輕薄時(shí)鐘晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振

        振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)小體積無源晶振電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。

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1210mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品.
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