希華晶振,貼片晶振,LP-4.2S晶振,假面石英晶振
頻率:3.5~80MHZ
尺寸:12.3*4.7mm
希華晶體科技敏銳地掌握電子產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流,致力于開發(fā)小型化、高頻與光電領(lǐng)域等產(chǎn)品,持續(xù)致力于技術(shù)研究貼片晶振開發(fā)及品質(zhì)落實(shí)扎根,營(yíng)運(yùn)據(jù)點(diǎn)遍布臺(tái)灣、中國(guó)大陸、日本、新加坡、美國(guó)及歐洲等世界各地,使希華得以提供服務(wù)予世界電子大廠。 希華晶體承諾所有的運(yùn)作皆遵守本地國(guó)家的法律,并符合國(guó)際上所共同認(rèn)知環(huán)保與社會(huì)責(zé)任的標(biāo)準(zhǔn),成為一個(gè)創(chuàng)造股東最大權(quán)益、照顧員工、善盡社會(huì)責(zé)任的好公司。橢圓形假貼片晶振,49S金屬石英晶體,LP-4.2S晶振
自2003年起推行無(wú)源晶振節(jié)能減碳措施,落實(shí)于電力、空調(diào)、氣體、照明、用水、資源回收、禁用免洗碗筷等項(xiàng)目,有效降低碳排放,節(jié)省公司支出。注重廠區(qū)綠化植栽及環(huán)境維護(hù),植栽綠覆率達(dá)34%提供員工優(yōu)良工作、生活環(huán)境。希華晶體科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊(cè)’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對(duì)應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述。本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動(dòng)、產(chǎn)品及服務(wù)。
希華晶振,貼片晶振,LP-4.2S晶振,假面石英晶振,普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測(cè)儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對(duì)應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
累積多年的晶振研磨經(jīng)驗(yàn),通過深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù),注重貼片晶振研磨過程的各種細(xì)節(jié),注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇;注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重石英晶振研磨用工裝如:游輪的設(shè)計(jì)及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來(lái)越薄,貼片晶振晶片的頻率越來(lái)越高,為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),提升了晶振希華企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力,使晶振廠家希華企業(yè)在高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)其它公司。橢圓形假貼片晶振,49S金屬石英晶體,LP-4.2S晶振
希華晶振 |
單位 |
LP-4.2S晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.5MHz~80.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+90°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~+70°C,-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:10μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-10°C ~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
5PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C~ +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±50× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量頻率比目標(biāo)頻率高,要增加外部電容CL(或Cd以及C 8的值),以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率,反之亦然。可以采用不同負(fù)載電容(CL)的石英SMD晶振試用。 試用晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話。請(qǐng)檢查波形幅度是否是正?;虿皇褂檬静ㄆ?,正確的電容是通過和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率(較低的外部電容,并采用低電容的晶體)的情況。頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。希華晶振,貼片晶振,LP-4.2S晶振,假面石英晶振
進(jìn)口石英晶振具有多種振動(dòng)模式,如基頻, 3次泛音,5次泛音等等。當(dāng)基頻模式應(yīng)用時(shí),晶振的電阻是最低的,這意味著它是最簡(jiǎn)單的石英晶體振蕩器。當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用,一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此,如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時(shí),要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了,因?yàn)殡娐返沫h(huán)境適合于基本模式,而不是第三次泛音調(diào)模式。橢圓形假貼片晶振,49S金屬石英晶體,LP-4.2S晶振
此外,放大電路,第三色調(diào)模式設(shè)計(jì)不當(dāng)也可能導(dǎo)致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度。也可以提高終端假貼片石英晶振電容解決方案,然后檢查波形幅度是否得到改善。請(qǐng)確定使用頻譜分析儀機(jī)中斷信號(hào)的頻率。我們可以發(fā)現(xiàn)存在的問題是根據(jù)頻率什么。如果是從電源的交流信號(hào),請(qǐng)檢查電源和信號(hào)的兩個(gè)理由的狀態(tài)是否是浮動(dòng)的。請(qǐng)改為浮動(dòng),如果它不是。如果信號(hào)具有高頻率,請(qǐng)使用以下方法:使用晶振外殼為接地。采用水晶較小C0。增加電路,鎘和CG的外部電容,并采用晶體具有較高的負(fù)載電容CL。
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)壓電晶體頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。希華晶振,貼片晶振,LP-4.2S晶振,假面石英晶振
測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF,5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量49S型貼片晶振頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。)
振蕩電路的檢查方法:必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的49SMD晶振的振蕩頻率的真實(shí)值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測(cè)量方法是通過使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
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JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
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石英晶振
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