希華晶振,石英晶振,LP-3.5晶振,AT-49S晶振
頻率:3.5~80MHZ
尺寸:11.05*4.65*2.5mm
2003年通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項(xiàng)排放檢測(cè)石英晶振數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求。并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證。對(duì)外,本公司透過與利害相關(guān)團(tuán)體間的溝通,積極落實(shí)企業(yè)社會(huì)責(zé)任活動(dòng),持續(xù)投入社會(huì)公益,降低對(duì)社會(huì)環(huán)境之沖擊。橢圓形耐高溫石英晶振,49S低頻兩腳插件晶振,LP-3.5晶振
希華晶體科技成立于1988年,專精于晶振頻率控制元件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售。產(chǎn)品應(yīng)用范圍包含行動(dòng)電話、平板電腦、衛(wèi)星通訊、車載系統(tǒng)、全球定位系統(tǒng)、個(gè)人電腦、無線通信及家用產(chǎn)品等,扮演基本信號(hào)源產(chǎn)生、傳遞、濾波等功能。持續(xù)致力于技術(shù)研究開發(fā)及品質(zhì)落實(shí)扎根,營(yíng)運(yùn)據(jù)點(diǎn)遍布臺(tái)灣、中國大陸、日本、新加坡、美國及歐洲等世界各地,使希華得以提供服務(wù)予世界電子大廠。
希華晶振,石英晶振,LP-3.5晶振,AT-49S晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長(zhǎng)時(shí)間大量庫存常用頻點(diǎn),高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻,常用負(fù)載電容.49/S石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力,主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性晶體諧振器元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。橢圓形耐高溫石英晶振,49S低頻兩腳插件晶振,LP-3.5晶振
希華晶振 |
單位 |
LP-3.5晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.5MHz~80.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+90°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~+70°C,-40°C ~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:10μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-10°C ~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
5PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C~ +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±50× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
操作:使用環(huán)境(溫度和濕度)請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英插件晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。晶振/石英晶體諧振器,激勵(lì)功率:在晶振上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率,負(fù)極電阻:除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加。負(fù)載電容:有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容。請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。希華晶振,石英晶振,LP-3.5晶振,AT-49S晶振
插件型晶振安裝注意事項(xiàng):安裝時(shí)的注意事項(xiàng)導(dǎo)腳型晶振• 構(gòu)造圓柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2)。橢圓形耐高溫石英晶振,49S低頻兩腳插件晶振,LP-3.5晶振
修改插件晶振彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí),以及要取出晶振等情況下不能強(qiáng)制拔出導(dǎo)腳,如果強(qiáng)制地拔出導(dǎo)腳,會(huì)引起玻璃的破裂,而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3)。(2) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí),要壓住外殼基側(cè)的導(dǎo)腳,且從上下方壓住彎曲的部位,再進(jìn)行修改(參閱圖 4)。
驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明兩腳壓電石英晶體振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。希華晶振,石英晶振,LP-3.5晶振,AT-49S晶振
振蕩開始代替。在基本石英晶體諧振器的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于49S插件晶振的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測(cè)量振蕩電路的特性來確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
此外,振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量.三.通過電容器測(cè)量聲表面諧振器輸出.圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的,除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
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JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
PRODUCT LINE
石英晶振
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