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加高晶振,貼片晶振,HSX630G晶振,SMD石英晶振

頻率：7.372~80MHZ

尺寸：6.0*3.5mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

加高貼片晶振歷經(jīng)近40年的經(jīng)營，在追求技術(shù)及銷售之余，我們更竭力于環(huán)境的保護，投入綠色化產(chǎn)品及材料的開發(fā)，秉持『取之于社會，用之于社會』的理念，推動環(huán)保，節(jié)能及社會回饋等生活概念，期盼帶動我們企業(yè)的同仁，供應(yīng)商伙伴及客戶群參與并發(fā)起社會活動，共同創(chuàng)造美好，健康的未來。產(chǎn)品技術(shù)方面，除了不斷提升既有產(chǎn)品規(guī)格的精密度及穩(wěn)定性之外，我們更專注開發(fā)高溫度耐受性的產(chǎn)品，特殊應(yīng)用領(lǐng)域之規(guī)格，并朝小型化開發(fā)設(shè)計，以滿足終端產(chǎn)品的發(fā)展趨勢。電子數(shù)碼6035晶振,金屬黑面石英晶振,HSX630G晶振
在服務(wù)上，我們致力于建立深厚的顧客信賴關(guān)系及滿意度的提升。為達到全面服務(wù)客戶的需求，制造無源晶振質(zhì)量與價格優(yōu)勢，我們在臺灣，大陸及泰國皆擁有生產(chǎn)工廠，并且提供多元化的網(wǎng)路服務(wù)，配置多國語言能力之銷售團隊，使我們能夠與國際客戶群進行有效的溝通，取得客戶的支持及認(rèn)可，國內(nèi)外客戶皆可透過各地的銷售辦事處和經(jīng)銷商，取得完整即時的需求回應(yīng)及服務(wù)。續(xù)改善生產(chǎn)制程，以節(jié)能減碳為目標(biāo)。導(dǎo)入無鉛制程，遵循歐盟RoHS指令有害物質(zhì)限用規(guī)范。
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加高晶振,貼片晶振,HSX630G晶振,SMD石英晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù)：是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問題，為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式，通過結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理，有一項不完善都會使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動不穩(wěn)定。電子數(shù)碼6035晶振,金屬黑面石英晶振,HSX630G晶振
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加高晶振	單位	HSX630G晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	7.372MHZ~80MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C~+60°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	10~500μW Max.	推薦:10μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±30× 10-6 ~±50× 10-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30× 10-6 /±50× 10-6 /-40°C ~+105°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF、10pF、12PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-10°C ~+60°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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HSX630G 6035

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每個封裝類型的注意事項:陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在無源石英晶振焊接這些產(chǎn)品之后進行電路板切割時,務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。加高晶振,貼片晶振,HSX630G晶振,SMD石英晶振
陶瓷包裝石英晶振:在一個不同擴張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振諧振器時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。（2）陶瓷封裝貼片晶振:在一個不同擴張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。電子數(shù)碼6035晶振,金屬黑面石英晶振,HSX630G晶振
（3）柱面式產(chǎn)品:產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂（開裂）,也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)石英SMD晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應(yīng)在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時,請勿拉伸,托住彎曲部分進行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負(fù)機器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。

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測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測量陶瓷面晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線。）加高晶振,貼片晶振,HSX630G晶振,SMD石英晶振

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負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致貼片石英晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

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振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，臺灣貼片晶振使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。
探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過輸入6035貼片晶振振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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