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加高晶振,貼片晶振,HSX531S晶振,進(jìn)口晶振

頻率：8~80MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

加高石英晶振本著顧客滿意與品質(zhì)領(lǐng)先的使命感，為提供客戶穩(wěn)定的產(chǎn)品品質(zhì)，本公司均依照TS16949 / ISO9001的國際品質(zhì)認(rèn)證要求，執(zhí)行并建構(gòu)品質(zhì)保證系統(tǒng)，實(shí)行嚴(yán)格的品質(zhì)控制制度，加高電子品質(zhì)管理系統(tǒng)的推動執(zhí)行，是由品質(zhì)政策展開，合理化推動品質(zhì)管理，落實(shí)品質(zhì)系統(tǒng)有效實(shí)施，相繼于2000年取得ISO9001認(rèn)證，2006年經(jīng)BVQi驗(yàn)證取得ISO / TS16949品質(zhì)系統(tǒng)之標(biāo)準(zhǔn)。
加高電子（H.ELE。）是頻率元件的專業(yè)制造商，目前所提供之石英晶體（水晶），進(jìn)口晶體振蕩器（振蕩器）之生產(chǎn)及銷售規(guī)模居全臺領(lǐng)先地位。成立于1976年年，借由與日本DAISHINKU（KDS）株式會社的合作，引進(jìn)日本精密制程，產(chǎn)品設(shè)計技術(shù)及講究的品質(zhì)管理工法，進(jìn)而累積扎實(shí)的研發(fā)能力。我們擁有廣泛的產(chǎn)品規(guī)格及客制化服務(wù)，應(yīng)用范圍涵蓋日常消費(fèi)產(chǎn)品（如：網(wǎng)路與通訊產(chǎn)品，智慧家庭和個人電腦），高階工業(yè)產(chǎn)品和車用電子。 JLX-1

加高晶振,貼片晶振,HSX531S晶振,進(jìn)口晶振,小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求。
石英晶振在選用晶片時應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求，SMD晶振溫度范圍寬(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對于晶振的條片，長邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。對于圓片晶振，X、Z 軸較難區(qū)分，所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1），會在 X 軸方向進(jìn)行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠，點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性。
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加高晶振	單位	HSX531S晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8MHZ~80MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C~+60°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	10~300μW Max.	推薦:10μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±20× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±10× 10-6 ~±20× 10-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30× 10-6 /±50× 10-6 /-40°C ~+105°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF,10pF,12PF,16PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-10°C ~+60°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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所有石英晶體振蕩器和實(shí)時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。加高晶振,貼片晶振,HSX531S晶振,進(jìn)口晶振
熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英貼片晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負(fù)載電容，其中已建成的芯片組。 Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是進(jìn)口石英晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負(fù)電阻的值必須小于200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R） JLX-5

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負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計無源晶振頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。加高晶振,貼片晶振,HSX531S晶振,進(jìn)口晶振

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測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量臺產(chǎn)無源晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線。）

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振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在智能手機(jī)晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是臺灣進(jìn)口貼片晶振通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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