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村田晶振,HCR2016晶振,XRCGB24M000F0Z00R0晶振

頻率：24MHZ

尺寸：2.0*1.6*0.65mm

小體積貼片2016mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢,適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型 (2.0 × 1.6 × 0.65 mm typ.) 具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

2010年3月完成了對日本村田晶振在國內(nèi)全部事業(yè)所和海外全部陶瓷晶振,陶瓷諧振器,村田陶瓷振蕩子生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)的環(huán)保管理系統(tǒng)整合.通過所構(gòu)建的國際化環(huán)保管理系統(tǒng),進(jìn)一步強(qiáng)化了村田無源晶振集團(tuán)的管制,能夠推進(jìn)更加有效且具有更高實(shí)效性的環(huán)保活動.而且,以往我們都以各事業(yè)所為單位進(jìn)行PDCA循環(huán),從2012年起,我們把多家事業(yè)所作為一個管理單位,不斷推動著PDCA循環(huán)的衛(wèi)星化.4腳2016晶體諧振器,HCR2016晶振,XRCGB24M000F0Z00R0晶振
根據(jù)員工的職位和業(yè)務(wù)內(nèi)容實(shí)施環(huán)保教育,為了提高員工的環(huán)保意識,村田晶振對全體員工實(shí)施環(huán)保教育.并且在2012年對內(nèi)部監(jiān)查員培訓(xùn)講座的教學(xué)綱要進(jìn)行了修改調(diào)整,引進(jìn)了模擬監(jiān)查等,使教育內(nèi)容更加接近于實(shí)際的監(jiān)查.此外,針對生產(chǎn)村田晶振,陶瓷諧振器,村田石英晶振,陶瓷振蕩器的生產(chǎn)操作排水排氣等對環(huán)保有影響的設(shè)備的員工,開展個別教學(xué),使其掌握正確的檢查方法、提高運(yùn)轉(zhuǎn)效率,力爭最大限度地減少環(huán)保影響.

村田晶振,HCR2016晶振,XRCGB24M000F0Z00R0晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。全自動石英晶振晶片清洗技術(shù)：采用高壓噴淋清洗，兆聲振動的原理，一個全自動、清洗過程由PLC控制，由傳輸裝置、噴淋清洗段、噴淋漂洗段、風(fēng)力吹水段等，操作自動化程度高，除上下工件需要人工外，其余全部由設(shè)備自動完成。根據(jù)需要，對速度，溫度，時間等參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，使之最大限度的滿足工藝需要。能最大限度除去晶片污染物，并防止人工污染。4腳2016晶體諧振器,HCR2016晶振,XRCGB24M000F0Z00R0晶振

TXC晶振	單位	HCR2016晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	24MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
包裝規(guī)格	mm	180	最小訂購單位:3000
工作溫度	T_use	-40°C~+105°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	300μW Max.	推薦:1~300μW
頻率公差	f_— l	±100×10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	(±100)×10-6/-20°C~+70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	6pF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	150Ω	-20°C~ +70°C, DL = 50μW
頻率老化	f_age	±5×10-6/ year Max.	+25°C,第一年

XRCGB24M000F0Z00R0 2.0-1.6

3225車載SMD諧振器,TSS-3225J晶振,XRCJK12M000F1QB4P0晶振

請測量使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器石英晶體諧振器的兩個端子的信號，如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi)，它的輸出波形的幅度是不夠的（例如超過+/-200ppm的）如果由頻率計(jì)數(shù)器測量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加石英晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后，諧振點(diǎn)的調(diào)整。村田晶振,HCR2016晶振,XRCGB24M000F0Z00R0晶振

如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過以下三種方法改進(jìn)：方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過石英晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。方法2：采用小電阻（RR）的晶體。方法3：使用鎘和CG的不等價的設(shè)計(jì)。4腳2016晶體諧振器,HCR2016晶振,XRCGB24M000F0Z00R0晶振

我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本，保證安全。請用頻率計(jì)數(shù)器來測量所述晶體，以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格，請采用SMD晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會偏差很大。

3225車載SMD諧振器,TSS-3225J晶振,XRCJK12M000F1QB4P0晶振

振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免24M石英晶體諧振器情況發(fā)生，請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時提供足夠的負(fù)極電阻。村田晶振,HCR2016晶振,XRCGB24M000F0Z00R0晶振

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振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過2016超小體積貼片晶振限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。2016貼片晶振逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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