Jauch晶振,石英晶振,HC-49/U晶振
頻率:1.8432MHZ~250MHZ
尺寸:10.8*4.5mm
Jauch晶振自覺遵守有關環(huán)境法律、法規(guī),培養(yǎng)員工的環(huán)保意識和能力,持續(xù)改進環(huán)??冃?/span>,優(yōu)先使用石英晶體諧振器,石英晶體環(huán)保型材料、設備及施工工藝,做到污染預防,最終創(chuàng)建具有環(huán)保、節(jié)能、適宜性特征的優(yōu)質(zhì)工程.
Jauch晶振環(huán)保事項:
1.為環(huán)境保護和降低成本開發(fā)綠色技術.
2.為協(xié)調(diào)發(fā)展,共同參與社會的環(huán)境、健康與安全的改善活動.
3.在石英晶體諧振器,石英晶體, 石英晶振,有源晶振,壓控晶振產(chǎn)品的整個生命周期內(nèi)確定、評價和改進重要的環(huán)境、健康和安全因素.
4.建立和維護以國際協(xié)定和國家環(huán)境、健康與安全法律法規(guī)為基礎的企業(yè)內(nèi)部標準.
5.為防止事故的發(fā)生和制造清潔的生產(chǎn)環(huán)境,開發(fā)生產(chǎn)過程的安全技術,明確緊急狀態(tài)反應的職責.
Jauch晶振,石英晶振,HC-49/U晶振,在極端嚴酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/U形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振的切割設計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等
Jauch晶振規(guī)格 |
單位 |
HC-49/U晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
1.8432MHZ~250MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息, http://www.upap-pt.com/ |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害,因此應避免照射。
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞石英晶體諧振器,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.Jauch晶振,石英晶振,HC-49/U晶振
設計振蕩回路的注意事項
1. 驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2. 振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機:13510569637
電話:0755-27837162
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搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
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JLX-PD
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