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Raltron晶振,石英貼片晶振,H13晶振

頻率：6.000MHz~100.000MHz

尺寸：7.0*5.0*1.1mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域.

訂購熱線：0755-27837162

Ral-1

Raltron產(chǎn)品具有精確的頻率容穩(wěn)定性好，頻率范圍寬，封裝更小，相位噪聲低，抖動(dòng)小等優(yōu)點(diǎn)，最重要的是，他們以非常有競(jìng)爭(zhēng)力的成本滿足或超越客戶的規(guī)格。公司對(duì)研發(fā)的承諾使得不斷創(chuàng)造領(lǐng)先邊緣晶體和石英晶體振蕩器器件和技術(shù)多年。今天，拉爾特龍?zhí)峁└咝阅茴l率控制解決方案滿足和超越客戶的期望價(jià)格，質(zhì)量，應(yīng)用工程和客戶支持。
RALTRON晶振集團(tuán)建立一種可測(cè)量的發(fā)展和改進(jìn)的目標(biāo)指標(biāo)，定期進(jìn)行內(nèi)審和管理評(píng)審。在現(xiàn)有的或新生的各種活動(dòng)中不斷監(jiān)測(cè)和改進(jìn)環(huán)境績(jī)效。通過對(duì)石英晶振生產(chǎn)活動(dòng)的持續(xù)改進(jìn)和促進(jìn)對(duì)低效或無效的環(huán)境法律法規(guī)進(jìn)行合理化轉(zhuǎn)變，努力提高環(huán)境管理中資本的效力。重視污染預(yù)防，消除偏離程序的行為強(qiáng)調(diào)通過員工努力這一最可行的方法持續(xù)改進(jìn)我們經(jīng)營(yíng)活動(dòng)的環(huán)境績(jī)效。

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Raltron晶振,石英貼片晶振,H13晶振.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
拉隆厚度單位: ?全自動(dòng)貼片石英晶振晶片清洗技術(shù)：采用高壓噴淋清洗，兆聲振動(dòng)的原理，一個(gè)全自動(dòng)、清洗過程由PLC控制，由傳輸裝置、噴淋清洗段、噴淋漂洗段、風(fēng)力吹水段等，操作自動(dòng)化程度高，除上下工件需要人工外，其余全部由設(shè)備自動(dòng)完成。根據(jù)需要，對(duì)速度，溫度，時(shí)間等參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，使之最大限度的滿足工藝需要。能最大限度除去晶片污染物，并防止人工污染。7050mm四腳石英晶體,100MHz無源晶振,H13晶振

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Raltron晶振	單位	H13晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	6.000MHZ~100.000MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-30°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	1μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±10 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±50 × 10-6/-30°C ～ +85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12pF~32pF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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H13 7050

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操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。Raltron晶振,石英貼片晶振,H13晶振
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致無源晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。7050mm四腳石英晶體,100MHz無源晶振,H13晶振
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致SMD晶體振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明石英貼片晶振單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。7050mm四腳石英晶體,100MHz無源晶振,H13晶振

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3. 負(fù)載電容
如果7050耐高溫石英晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。Raltron晶振,石英貼片晶振,H13晶振

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