国产精品白嫩白嫩大学美女,影音先锋熟女av资源天堂

當(dāng)前位置：首頁 » 貼片晶振 » 拉隆晶振 » Raltron晶振,無源晶振,H120B晶振

prevnext

Raltron晶振,無源晶振,H120B晶振

頻率：12.000MHz~50.000MHz

尺寸：4.0*2.5*0.8mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等.

訂購熱線：0755-27837162

Ral-1

Raltron通過提供追求快速增長的物聯(lián)網(wǎng)和機(jī)器到機(jī)器市場完整的無源器件封裝，包括晶體，TCXO，SAW濾波器，LTCC濾波器和巴倫以及相應(yīng)IC解決方案規(guī)定的各種天線。為了滿足快速增長的無線應(yīng)用市場的需求，Raltron也將其定位作為一個(gè)完整的解決方案供應(yīng)商，在其晶體和振蕩器中添加SAW器件和LTCC濾波器發(fā)行。
拉隆晶振以最小化使用危險(xiǎn)材料、能源和其它資源為目的進(jìn)行公司無源晶振產(chǎn)品及服務(wù)的安全生產(chǎn)和使用，并確?；厥绽?。以防治污染、保存資源的方式進(jìn)行商務(wù)運(yùn)作，并積極地對以往的環(huán)境破壞進(jìn)行揭露。持續(xù)改進(jìn)，將環(huán)境管理與商務(wù)運(yùn)行和決策過程高度集成，規(guī)范其行為。不斷進(jìn)行持續(xù)改進(jìn)的實(shí)踐。

JLX-1

Raltron晶振,無源晶振,H120B晶振.4025mm貼片型四腳壓電石英晶體產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品.
RALTRON被銀時(shí)放置石英晶振晶片的治具。根據(jù)貼片晶振晶片的直徑（長度、寬度）、厚度選用合適尺寸的Space，尺寸過大容易造成被銀電極偏位，尺寸偏小容易造成石英晶振晶片破碎和被銀后貼片晶振晶片不宜取出。4025mm貼片諧振器,12M金屬殼封裝四腳晶體,H120B晶振

JLX-2

RB-2

Raltron晶振	單位	H120B晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	12.000MHZ~50.000MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100~500μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±30 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±10 × 10-6 ～ ±30 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF~32pF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±2× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

h120b 4025

JLX-4

RB-4

其他
＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵(lì)電力對石英晶體諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請?jiān)谛麄鲀浴⒁?guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍以上。4025mm貼片諧振器,12M金屬殼封裝四腳晶體,H120B晶振
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些進(jìn)口晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí)，請?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。
如果過大的激勵(lì)電力對諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。Raltron晶振,無源晶振,H120B晶振
＜光學(xué)產(chǎn)品＞
由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。

JLX-5

RB-5

設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明四腳SMD晶振單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。Raltron晶振,無源晶振,H120B晶振

sjzrhl_1

2.振蕩補(bǔ)償
除非在4025mm石英諧振器振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致SMD進(jìn)口晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。4025mm貼片諧振器,12M金屬殼封裝四腳晶體,H120B晶振

sjzrhl_3