Golledge晶振,貼片晶振,GSX-8A晶振,美國進(jìn)口晶振
頻率:12~67MHZ
尺寸:5.2*3.4mm
自從我們在1990年成立以來,golledge電子取得了前所未有的成功。經(jīng)過多年的不斷增長,我們現(xiàn)在是英國最主要的石英晶體頻率控制產(chǎn)品供應(yīng)商。這種增長是通過保持我們的專注于我們的客戶的要求,并通過努力始終滿足和超越他們實現(xiàn)的。golledge商業(yè)團(tuán)隊是該行業(yè)最有經(jīng)驗的團(tuán)隊之一。我們的知識淵博的工程師和銷售團(tuán)隊致力于與我們的客戶密切合作,從最初的設(shè)計到全面生產(chǎn)。電子技術(shù)和技術(shù)相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在迅速發(fā)展。隨著技術(shù)進(jìn)步和商業(yè)世界的發(fā)展,golledge擁有支持我們客戶需求的資源和靈活性。
Golledge晶振,貼片晶振,GSX-8A 晶振,美國進(jìn)口晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振的研磨技術(shù):通過對晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨,使進(jìn)口晶振的晶片達(dá)到(厚度/頻率)的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為:在壓電晶體行業(yè),生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術(shù)水平的一個方面,通過理論與實際相結(jié)合,累積多年的晶振研磨經(jīng)驗,通過深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù),注重貼片晶振研磨過程的各種細(xì)節(jié),注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇;美國進(jìn)口陶瓷面晶振,二腳5.2*3.4mm諧振器,GSX-8A晶振
Golledge晶振 |
單位 |
GSX-8A晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12~67MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-30°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±100 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
﹣0.034~±0.006 × 10-6/-20°C ~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
所有產(chǎn)品的共同點:1:抗沖擊:抗沖擊是指無源陶瓷晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。 3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。 Golledge晶振,貼片晶振,GSX-8A 晶振,美國進(jìn)口晶振
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些貼片石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
耐焊性:將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接進(jìn)口封裝晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。美國進(jìn)口陶瓷面晶振,二腳5.2*3.4mm諧振器,GSX-8A晶振
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在5032陶瓷二腳晶振基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。Golledge晶振,貼片晶振,GSX-8A晶振,美國進(jìn)口晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于壓電石英晶體的類型,頻帶和設(shè)備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
振蕩補償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加陶瓷面貼片晶振振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過陶瓷面5032貼片晶振振蕩器的放大器時,可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).
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JLX-PD
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