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Golledge晶振,貼片晶振,GSX-321晶振,歐美石英晶振

頻率:12~66MHZ

尺寸:2.5*2.0*0.55mm

小體積貼片2520mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢(shì),適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型 (2.5 × 2.0 × 0.55 mm typ.) 具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
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薄型耐環(huán)境晶體諧振器,2520貼片4P晶振,GSX-321晶振

    Golledge高利奇晶振集團(tuán)消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少石英晶體諧振器、普通晶體振蕩器(SPXO)材料廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對(duì)緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時(shí)做出反應(yīng).對(duì)我們的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn),同時(shí)告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對(duì)環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.薄型耐環(huán)境晶體諧振器,2520貼片4P晶振,GSX-321晶振
   Golledge晶振將持續(xù)的環(huán)境、健康和安全方面的改進(jìn)、污染預(yù)防和員工的努力納入日常運(yùn)行當(dāng)中.加強(qiáng)污染防治,減少現(xiàn)有的污染廢棄物以及在未來晶體諧振器、普通晶體振蕩器(SPXO),石英晶振生產(chǎn)制造中所產(chǎn)生的污染.實(shí)行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略.采取有效措施,防治工業(yè)污染.提高能源利用效率,改善能源結(jié)構(gòu).運(yùn)用經(jīng)濟(jì)手段保護(hù)環(huán)境.大力推進(jìn)科技進(jìn)步,加強(qiáng)環(huán)境科學(xué)研究,積極發(fā)展環(huán)境保護(hù)產(chǎn)業(yè).健全環(huán)境法規(guī),強(qiáng)化環(huán)境管理.加強(qiáng)環(huán)境教育,不斷提高環(huán)境意識(shí).

薄型耐環(huán)境晶體諧振器,2520貼片4P晶振,GSX-321晶振

    Golledge晶振,貼片晶振,GSX-321晶振,歐美石英晶振,2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無鉛對(duì)應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品.
   石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使SMD晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。薄型耐環(huán)境晶體諧振器,2520貼片4P晶振,GSX-321晶振

薄型耐環(huán)境晶體諧振器,2520貼片4P晶振,GSX-321晶振

Golledge晶振

單位

GSX-321晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

12~66MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C  +85°C

裸存

工作溫度

T_use

-20°C  +80°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

10~100μW Max.

推薦:10~100μW

頻率公差

f_— l

±10,±15,±20× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/

頻率溫度特征

f_tem

±10,±15,±20,±30× 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8,9,12,16pF 

不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±1~±2× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

薄型耐環(huán)境晶體諧振器,2520貼片4P晶振,GSX-321晶振

薄型耐環(huán)境晶體諧振器,2520貼片4P晶振,GSX-321晶振

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       每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng):(1)陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品"在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指無源石英晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。陶瓷包裝石英晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。Golledge晶振,貼片晶振,GSX-321晶振,歐美石英晶振
   (2)柱面式產(chǎn)品:產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)進(jìn)口石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請(qǐng)不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。
    (3)陶瓷封裝無源貼片晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝貼片晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。薄型耐環(huán)境晶體諧振器,2520貼片4P晶振,GSX-321晶振

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        負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致2520mm晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。Golledge晶振,貼片晶振,GSX-321晶振,歐美石英晶振

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      振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的貼片型石英晶體諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測(cè)量方法是通過使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
    接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過歐美進(jìn)口貼片晶振輸入振蕩電路的輸出來測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3,因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測(cè)量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測(cè)量。

薄型耐環(huán)境晶體諧振器,2520貼片4P晶振,GSX-321晶振

       測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量低消耗晶振頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線).

薄型耐環(huán)境晶體諧振器,2520貼片4P晶振,GSX-321晶振

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RB-6

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