Golledge晶振,貼片晶振,GRX-315晶振,石英無源晶振
頻率:32.768KHZ
尺寸:3.2*1.5*0.9mm
Golledge高利奇晶振集團將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于石英晶體預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護公眾健康的同時,努力改進我們的操作.我公司將積極參與加強公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意. 所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標準以及適用的法律法規(guī).為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系.對我們的產(chǎn)品進行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.
Golledge晶振,貼片晶振,GRX-315晶振,石英無源晶振,貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等)。3.2*1.5mm千赫茲晶體,32.768K陶瓷面諧振器,GRX-315晶振
Golledge晶振 |
單位 |
GRX-315晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.1~0.5~μW Max. |
推薦:0.1~0.5~μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
9,12.5pF |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
一般來說,音叉SMD晶振的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規(guī)格)Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。Golledge晶振,貼片晶振,GRX-315晶振,石英無源晶振
例如,為了獲得32.768K晶振穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與無源貼片晶體串聯(lián)(2)從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值。(3)振蕩期間測量R的值。(4)你將能夠獲得負電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL)。3.2*1.5mm千赫茲晶體,32.768K陶瓷面諧振器,GRX-315晶振
此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過3215mm晶振電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。Golledge晶振,貼片晶振,GRX-315晶振,石英無源晶振
1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件,因此受到32.768K無源晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此,在振蕩電路的設(shè)計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在3215貼片晶振振蕩電路的設(shè)計中,必須認識到個體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
測試條件(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過3215mm晶體諧振器振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).
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JLX-PD
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