百利通亞陶晶振,貼片晶振,FHQ晶振
頻率:12.000MHz~66.000MHz
尺寸:2.5*2.0*0.6mm
百利通亞陶晶振公司生產(chǎn)設(shè)施已達到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 認(rèn)證的品質(zhì)獎。Diodes 公司目前擁有 C-TPAT 認(rèn)證。上述質(zhì)量獎反映 Diodes 公司優(yōu)異的品管技術(shù),并進一步提升我們在重視質(zhì)量與一致性的 OEM 業(yè)者心目中最佳廠商的地位。另外在多個據(jù)點設(shè)有工程、銷售、倉儲及物流辦公室,包括臺北、香港、曼徹斯特、中國上海、深圳、南韓城南市以及德國慕尼黑,并于世界各地設(shè)有支持辦公室。
百利通亞陶晶振減少污染物排放,對不可再生的資源進行有效利用.減少廢物的產(chǎn)生,對其排放的責(zé)任進行有效管理,有效地使用能源.通過石英晶振,貼片晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器設(shè)計工藝程序?qū)T工進行培訓(xùn)保護環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運營現(xiàn)狀進行糾正.2520耐高溫晶振,超小型汽車晶振,FHQ晶振
百利通亞陶晶振,貼片晶振,FHQ晶振.2520mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
百利通亞陶晶振的真空封裝技術(shù):是指SMD晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。百利通亞陶晶振,貼片晶振,FHQ晶振
亞陶晶振 |
單位 |
FHQ晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12.000MHz~66.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:10μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30~±50× 10-6/-40°C ~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF~32pF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些石英晶體諧振器。請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振未撞擊機器或其他電路板等。
每個封裝類型的注意事項
(1)陶瓷包裝產(chǎn)品與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷晶振產(chǎn)品和SON產(chǎn)品 (MC-146,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,彎曲電路板會因機械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進行電路板切割時,務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。百利通亞陶晶振,貼片晶振,FHQ晶振
陶瓷包裝產(chǎn)品
在一個不同擴張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷晶振產(chǎn)品時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。
(2)陶瓷封裝產(chǎn)品
在一個不同擴張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接壓電陶瓷諧振器產(chǎn)品時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。
(3)柱面式產(chǎn)品
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)圓柱晶振產(chǎn)品的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應(yīng)在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時,請勿拉伸,托住彎曲部分進行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負(fù)機器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。2520耐高溫晶振,超小型汽車晶振,FHQ晶振
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明2520貼片晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。百利通亞陶晶振,貼片晶振,FHQ晶振
2.振蕩補償
除非在環(huán)保型石英晶體諧振器振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致耐高溫石英諧振器振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。2520耐高溫晶振,超小型汽車晶振,FHQ晶振
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機:13510569637
電話:0755-27837162
QQ號:657116624
微信公眾號:CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
郵箱:jinluodz@163.com
地址:深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號
網(wǎng)址:http://www.upap-pt.com/
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JLX-PD
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