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百利通亞陶晶振,進(jìn)口貼片晶振,FF晶振

頻率：12.000MHz~66.000MHz

尺寸：4.0*2.5*0.65mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

Diodes 的圓柱晶振生產(chǎn)設(shè)施位于密蘇里州堪薩斯市及曼徹斯特，另外在中國上海亦設(shè)有一座生產(chǎn)設(shè)施。Diodes 在中國上海、濟(jì)南、成都、揚(yáng)州，以及香港、紐豪斯及臺北設(shè)有組裝與測試設(shè)施。Diodes 公司為領(lǐng)先業(yè)界的高質(zhì)量應(yīng)用特定標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品全球制造商與供貨商，產(chǎn)品涵蓋廣泛領(lǐng)域，包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導(dǎo)體市場。Diodes 服務(wù)的市場包括消費(fèi)性電子、計算機(jī)、通訊、工業(yè)及汽車市場。
該公司生產(chǎn)設(shè)施已達(dá)到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 認(rèn)證的品質(zhì)獎。Diodes 公司目前擁有 C-TPAT 認(rèn)證。上述質(zhì)量獎反映 Diodes 公司優(yōu)異的品管技術(shù)，并進(jìn)一步提升我們在重視貼片晶振質(zhì)量與一致性的 OEM 業(yè)者心目中最佳廠商的地位。Double Data Rate (DDR) 同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存是用于計算機(jī)的內(nèi)存等級。 Diodes 可為高可用性通訊與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備（包括服務(wù)器、RAID 儲存裝置、工作站與刪除重復(fù)數(shù)據(jù)設(shè)備）以及醫(yī)療裝置與其他嵌入式系統(tǒng)的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供頻率及切換組件。

JLX-1

BLT-1

百利通亞陶晶振,進(jìn)口貼片晶振,FF晶振.4.0*2.5mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.
百利通亞陶晶振的真空封裝技術(shù)：是指貼片石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。4025mm貼片諧振器,高精準(zhǔn)度無源晶體,FF晶振

JLX-2

RB-2

亞陶晶振	單位	FF晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	12.000MHz~66.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	100μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±10× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±10× 10-6~ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com
頻率溫度特征	f_tem	±30/ ±50× 10-6/-40°C ~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF~32pF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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RB-3

FF 4025

JLX-4

RB-4

＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵電力對石英水晶振動子外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍以上。4025mm貼片諧振器,高精準(zhǔn)度無源晶體,FF晶振
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英振蕩子沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時，請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接。關(guān)于個別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時需要配置調(diào)諧電路。
如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
＜光學(xué)產(chǎn)品＞
由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請在進(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。百利通亞陶晶振,進(jìn)口貼片晶振,FF晶振

JLX-5

振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測量
必須盡可能地測量安裝在電路上的4025晶振的振蕩頻率的真實值，
使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,
我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。4025mm貼片諧振器,高精準(zhǔn)度無源晶體,FF晶振
有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最
精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。
探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。
逆變器進(jìn)入下一階段。
探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。
圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。
輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。
然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法4025mm石英諧振器輸出波形較小，測量不能依賴于
即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。百利通亞陶晶振,進(jìn)口貼片晶振,FF晶振