大河晶振,貼片晶振,FCX-07L晶振,日本無(wú)源晶振
頻率:24~80MHZ
尺寸:1.6*1.2*0.35mm
低頻晶振可從24MHz起對(duì)應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
日本大河制造公司都是100%出資子公司的青森河技術(shù)有限公司,River Electronics(Ipoh)Sdn . Bhd(馬來西亞),西安大河無(wú)源晶振科技有限公司(中國(guó))。銷售網(wǎng)絡(luò)的話,東京,大阪營(yíng)業(yè)所,韓國(guó)駐在員事務(wù)所,銷售子公司都會(huì)100%出資公司的臺(tái)灣利巴股份有限公司(臺(tái)灣),River Electronics(Singapore)Pte .有限公司(新加坡),西安大河晶振科技有限公司(中國(guó))。這些基礎(chǔ)上不僅在亞洲地區(qū),包括北美、歐洲的世界范圍。1612進(jìn)口諧振器,高穩(wěn)定貼片無(wú)源晶振,FCX-07L晶振
本公司小型追求了起因,索尼發(fā)明了,世界第一的小型晶體管收音機(jī),散列- 55(1955年),本公司的小型抵抗器被采用了。產(chǎn)品陣容這件事,本公司日產(chǎn)晶振“輕薄短小”的概念,誰(shuí)都沒做過的創(chuàng)造的DNA,生みつけ了。以來,本公司的主力產(chǎn)品從抵抗器到水晶制品的現(xiàn)在,也始終持續(xù)著對(duì)小型化的挑戰(zhàn)。其中業(yè)界獨(dú)有的電子束的氣密封裝工法用橘色的類型(表面安裝型)特化,小型便攜式設(shè)備(手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)游戲等)和近距離無(wú)線通信(藍(lán)牙和無(wú)線LAN等),汽車電子和醫(yī)療機(jī)器等最先進(jìn)的領(lǐng)域集中在穩(wěn)定的收入,確保了。同時(shí),也作為開發(fā)的概念開發(fā)的概念,在產(chǎn)品的小型化中經(jīng)常領(lǐng)導(dǎo)著業(yè)界的發(fā)展。
大河晶振,貼片晶振,FCX-07L晶振,日本無(wú)源晶振,小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對(duì)應(yīng)24.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
白片頻率(腐蝕頻率): 如 14.560000 MHz (是 14.318180 腐蝕片中心頻率)蒸鍍目標(biāo)頻率: 標(biāo)稱頻率±1000 PPM。(蒸鍍微調(diào)、離子微調(diào))3.3.1、Space:被銀時(shí)放置石英晶振晶片的治具。根據(jù)貼片晶振晶片的直徑(長(zhǎng)度、寬度)、厚度選用合適尺寸的Space,尺寸過大容易造成被銀電極偏位,尺寸偏小容易造成石英晶振晶片破碎和被銀后貼片晶振晶片不宜取出。3.3.2、MASK:被銀電極。一般情況下,石英晶振頻率低選用大尺寸 MASK,貼片晶振頻率高選用小尺寸 MASK,對(duì)同一規(guī)格產(chǎn)品 MASK 大、C0 大、電阻小。MASK 小、C0 小、電阻大。對(duì)有特殊要求(如 C0、C1、C0/C1、TS 等)的產(chǎn)品,在計(jì)算和試驗(yàn)的基礎(chǔ)上選用合適的 MASK。對(duì)高頻產(chǎn)品(尤其是高頻 Fund)Mask 大,產(chǎn)品容易產(chǎn)生寄生。石英晶振離子刻蝕調(diào)頻技術(shù):比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi).1612進(jìn)口諧振器,高穩(wěn)定貼片無(wú)源晶振,FCX-07L晶振
大河晶振 |
單位 |
FCX-07L晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
24.000MHZ~80.000MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C ~ +125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±7ppm~±50ppm |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6 |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
5pF、6pF、7pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組。 (請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格)Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個(gè)阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是石英SMD晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:大河晶振,貼片晶振,FCX-07L晶振,日本無(wú)源晶振
負(fù)載電容:如果1.6x1.2mm晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。大河晶振,貼片晶振,FCX-07L晶振,日本無(wú)源晶振
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)1612貼片晶振負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于石英晶體諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測(cè)量振蕩電路的特性來確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
此外,24M晶振振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。
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