愛普生晶振,SMD晶體,FC-12M晶振,FC-12M 32.7680KA-A3
頻率:32.768KHz
尺寸:2.05*1.2*0.6mm
以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶體,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當(dāng)時員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強企業(yè).愛普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優(yōu)科夢的晶振元器件已以23%的市場占有率位于業(yè)界第一."FC-12M 32.7680KA-A3"
愛普生晶振,SMD晶體,FC-12M晶振,是一款超小型,超薄型的SMD二腳金屬表面石英晶體,體積小到比一顆米粒大不了多少,其他品牌同款型的產(chǎn)品有很多,但愛普生的這款FC-12M晶振的精度高,高達(dá)±20ppm,是公認(rèn)的品質(zhì)高晶體產(chǎn)品,并且通過了英國晶振協(xié)會的ROHS指令,當(dāng)之無愧的環(huán)保型產(chǎn)品.2012貼片石英晶體,32.768K二腳SMD晶振,FC-12M晶振,"FC-12M 32.7680KA-A3"
愛普生晶振 |
單位 |
FC-12M晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.5μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20ppm、±30ppm |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
12.5pF |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
機械振動的影響
當(dāng)表晶32.768K產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
PCB設(shè)計指導(dǎo)
(1)理想情況下,機械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于SMD時鐘晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。愛普生晶振,SMD晶體,FC-12M晶振,"FC-12M 32.7680KA-A3"
(2)在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3)在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4)請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存FC-12M晶振產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2)請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。 2012貼片石英晶體,32.768K二腳SMD晶振,FC-12M晶振,"FC-12M 32.7680KA-A3"
1、設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。2012貼片石英晶體,32.768K二腳SMD晶振,FC-12M晶振,"FC-12M 32.7680KA-A3"
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。愛普生晶振,SMD晶體,FC-12M晶振,"FC-12M 32.7680KA-A3"
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機:13510569637
電話:0755-27837162
QQ號:657116624
微信公眾號:CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
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JLX-PD
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