愛(ài)普生晶振,貼片晶振,FC-12D晶體,FC-12D 32.7680KA-A3
頻率:32.768KHz
尺寸:2.05*1.2*0.35mm
工作溫度:-55℃~+125℃
工作溫度:-40℃~85℃
負(fù)載電容:12.5pF
2520mm體積的晶振,"FC-12D 32.7680KA-A3"可以說(shuō)是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無(wú)線通訊系統(tǒng),無(wú)線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲.
愛(ài)普生(中國(guó))有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).目前注冊(cè)資本2500萬(wàn)美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事壓電石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來(lái)西亞量產(chǎn).蘇州愛(ài)普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔."FC-12D 32.7680KA-A3"
愛(ài)普生晶振,貼片晶振,FC-12D晶體,"FC-12D 32.7680KA-A3",是來(lái)自日本進(jìn)口品牌的一款2.0*1.2mm貼片晶體,厚度只有0.35mm,也許比一枚1元硬幣還要小,標(biāo)準(zhǔn)的晶振頻率是±20ppm,即使擁有這么小的體積,精準(zhǔn)度卻依然高,工作時(shí)的溫度范圍是-40℃~+85℃之間,負(fù)載電容從7pF到12.5pF可供選擇,穩(wěn)定性高,深得用戶們的喜愛(ài).2012四腳石英晶體,32.768K貼片諧振器,FC-12D晶振
愛(ài)普生晶振 |
單位 |
FC-12D晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
0.25μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF、9pF、12.5pF |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸FC-12D晶振的表面。愛(ài)普生晶振,貼片晶振,FC-12D晶體,"FC-12D 32.7680KA-A3"
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致FC-12D貼片晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 (請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。2012四腳石英晶體,32.768K貼片諧振器,FC-12D晶振,"FC-12D 32.7680KA-A3"
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致32.768K愛(ài)普生貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。
1、設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。2012四腳石英晶體,32.768K貼片諧振器,FC-12D晶振,"FC-12D 32.7680KA-A3"
2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。愛(ài)普生晶振,貼片晶振,FC-12D晶體,"FC-12D 32.7680KA-A3"
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機(jī):13510569637
電話:0755-27837162
QQ號(hào):657116624
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搜狐公眾號(hào):晶振石英晶振NDK晶振
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JLX-PD
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