ECLIPTEK晶振,石英晶振,EUEA18-1.8432M晶振,歐美插件晶振
頻率:1.8432MHZ
尺寸:13.58*11.18*4.7mm
Ecliptek日蝕晶振公司成立于1987年,是一家石英晶振晶體,貼片晶振頻率元件控制市場(chǎng)上公認(rèn)的領(lǐng)導(dǎo)者.日蝕晶振公司擁有先進(jìn)的產(chǎn)品和領(lǐng)先的技術(shù)使我們能夠?yàn)榭蛻籼峁┳詈玫氖⒕w,貼片晶振,石英水晶和有源晶振,石英晶體振蕩器,貼片振蕩器產(chǎn)品.扁殼49U插件諧振器,1.8432MHZ低頻進(jìn)口晶體,EUEA18-1.8432M晶振
日蝕晶振集團(tuán)環(huán)?;纠砟睿?.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國(guó)內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.3.有效利用資源和能源,認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.4.為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于減少石英晶體,貼片晶振,有源晶體振蕩器材料的廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.
ECLIPTEK晶振,石英晶振,EUEA18-1.8432M晶振,歐美插件晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振真空退火技術(shù):進(jìn)口晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。扁殼49U插件諧振器,1.8432MHZ低頻進(jìn)口晶體,EUEA18-1.8432M晶振
日蝕晶振 |
單位 |
EUEA18-1.8432M晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
1.8432MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
|
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW ~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±30× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50× 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
18pF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-0°C~ +70°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn):1:抗沖擊:抗沖擊是指插件晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4:粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英無源晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。) 5:鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。6:靜電:過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>歐美石英晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。 扁殼49U插件諧振器,1.8432MHZ低頻進(jìn)口晶體,EUEA18-1.8432M晶振
1.驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明無源插件晶振振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL).
測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過49U插件石英晶體振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線).
1.振蕩電路:49U音叉晶振是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:49U插件晶振在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
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