鴻星晶振,32.768K圓柱晶體,ETDA晶振
頻率:32.768KHz
尺寸:2.0*6.0mm
Hosonic專注于自己的核心技術和鼓勵員工的創(chuàng)造力,創(chuàng)新和團隊合作。自1979以來,我們一直致力于雙直插封裝(DIP)和表面貼裝器件(SMD)石英晶體的研究、設計、制造和銷售?,F在,它擁有四個生產設施在中國大陸東、南、和九個銷售和FAE位點和十個銷售代表和經銷商在世界各地。因此鴻星建立有機學習成長的平臺,激勵跨單位團隊合作的活動,要為更好的環(huán)境與產品不斷的改善。
鴻星晶振集團保持就健康安全環(huán)境問題與臨近攝取進行對話.通過在環(huán)境控制方面實施優(yōu)秀的管理實踐,以保護環(huán)境和全球運作相關的自然資源.向員工灌輸環(huán)境價值觀,在所有的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶振產品和生產過程中應用最佳環(huán)境實用技術,為全球可持續(xù)發(fā)展做出貢獻.
鴻星晶振,32.768K圓柱晶體,ETDA晶振.插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產品高可靠性的使用.具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性.
鴻星石英晶振的切型。采用高速線切割技術:1.優(yōu)化及嚴格規(guī)范線切割機各項設備參數;2.通過試驗精選所使用的各類線切割料,如:磨料、線切割線、槽輪等;3.確認最優(yōu)的石英晶振切割工藝參數。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了石英晶振晶片的精度,提高了生產效率。
鴻星晶振 |
單位 |
ETDA晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-20°C~+70°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~+60°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
1μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/-10°C ~+60°C |
超出標準的規(guī)格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
12.5PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C — +60°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害,因此應避免照射。
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶體諧振器或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。鴻星晶振,32.768K圓柱晶體,ETDA晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞無源晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明插件晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加2*6圓柱型音叉晶振振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致2*6mm石英晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。鴻星晶振,32.768K圓柱晶體,ETDA晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
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