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ECLIPTEK晶振,3215時(shí)鐘晶體,E8WSDC12-32.768K晶振

頻率:32.768KHz

尺寸:3.2*1.5*0.9mm

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
訂購(gòu)熱線:0755-27837162
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ECLIPTEK-1

    憑借先進(jìn)的設(shè)備一流的技術(shù)以及公司訓(xùn)練有素的服務(wù)團(tuán)隊(duì),多方面的滿足各領(lǐng)域客戶的不同需求,從而成為晶振行業(yè)內(nèi)的最佳資源之一.服務(wù)是Ecliptek日蝕晶振成功的基石.我們時(shí)時(shí)為客戶著想,盡力滿足并超越客戶對(duì)于我們的石英晶振,貼片晶振,電壓晶體元件,晶體振蕩器,有源晶振等產(chǎn)品的質(zhì)量要求以及服務(wù)價(jià)值.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國(guó)內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).
    對(duì)我們的有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振, 晶體諧振器、普通晶體振蕩器(SPXO)、溫補(bǔ)晶振、壓控晶體振蕩器(VCXO)進(jìn)行檢驗(yàn),同時(shí)告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對(duì)環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.所有的經(jīng)營(yíng)組織都將積極應(yīng)用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.

JLX-1

ECLIPTEK-2

    ECLIPTEK晶振,3215時(shí)鐘晶體,E8WSDC12-32.768K晶振.產(chǎn)品本身具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
    日蝕石英晶振的切型。采用高速線切割技術(shù):1.優(yōu)化及嚴(yán)格規(guī)范線切割機(jī)各項(xiàng)設(shè)備參數(shù);2.通過(guò)試驗(yàn)精選所使用的各類(lèi)線切割料,如:磨料、線切割線、槽輪等;3.確認(rèn)最優(yōu)的石英晶振切割工藝參數(shù)。通過(guò)以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了石英晶振晶片的精度,提高了生產(chǎn)效率。E8WSDC12-32.768K晶振,進(jìn)口32.768K石英晶體,金屬殼二腳貼片晶振

JLX-2

RB-1

日蝕晶振

單位

E8WSDC12-32.768K晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C ~+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C ~ +85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

0.5μW Max.

推薦:1μW ~100μW

頻率公差

f_— l

±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-40°C ~+85°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

12.5pF

超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-0°C~ +70°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

E8WSDC12-32.768K 3215

JLX-4

RB-4

操作
    請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。ECLIPTEK晶振,3215時(shí)鐘晶體,E8WSDC12-32.768K晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
    請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用時(shí)鐘晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
激勵(lì)功率
    在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致32.768K晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 (請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
    除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。E8WSDC12-32.768K晶振,進(jìn)口32.768K石英晶體,金屬殼二腳貼片晶振
負(fù)載電容
    振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩美國(guó)進(jìn)口晶振頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明32.768K貼片晶振所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。ECLIPTEK晶振,3215時(shí)鐘晶體,E8WSDC12-32.768K晶振

sjzrhl_2

2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加3215mm晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

sjzrhl_1

3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致32.768K進(jìn)口晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。E8WSDC12-32.768K晶振,進(jìn)口32.768K石英晶體,金屬殼二腳貼片晶振

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頻率和負(fù)載電容特征圖器

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振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考


JLX-6

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wxewm

公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司

聯(lián)系人:茹紅青

手機(jī):13510569637

電話:0755-27837162

QQ號(hào):657116624

微信公眾號(hào):CITIZENCRYSTAL

搜狐公眾號(hào):晶振石英晶振NDK晶振

郵箱:jinluodz@163.com

地址:深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號(hào)

網(wǎng)址:http://www.upap-pt.com/

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