鴻星晶振,5032晶振,E5SB晶振
頻率:8.000MHz~80.000MHz
尺寸:5.0*3.2*0.9mm
鴻星的核心精神:誠(chéng)信負(fù)責(zé)、團(tuán)隊(duì)合作、專業(yè)創(chuàng)新、積極成長(zhǎng)。HOSONIC以先進(jìn)技術(shù)、優(yōu)異質(zhì)量、完善服務(wù),成為晶體產(chǎn)業(yè)最具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的品牌。Hosonic現(xiàn)在是一個(gè)領(lǐng)先的專業(yè)晶體諧振器、晶體振蕩器制造商在世界上,致力于直插和貼片式石英振蕩器的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司致力于提供最好的質(zhì)量、服務(wù)和價(jià)值的客戶應(yīng)對(duì)不斷變化的技術(shù)和環(huán)境的挑戰(zhàn)。Hosonic專注于自己的核心技術(shù)和鼓勵(lì)員工的創(chuàng)造力,創(chuàng)新和團(tuán)隊(duì)合作。
鴻星格林雷晶振集團(tuán)廣泛用于通信行業(yè)的需求,包括為電信、無線和SATCOM以及WiMAX等新興技術(shù)而設(shè)計(jì)的產(chǎn)品,包括用于電信的Stratum III和IIIE.此外,我們還為全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)(如GPS)提供高精度有源晶振,石英晶體振蕩器,溫補(bǔ)晶振等.所生產(chǎn)的高精密晶體諧振器、普通晶體振蕩器(SPXO)、低噪音壓控晶體振蕩器(VCXO)、低振動(dòng)溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、高穩(wěn)定恒溫晶體振蕩器(OCXO)廣泛用于一些檢測(cè)儀器,高端設(shè)備儀器,高精密設(shè)備等產(chǎn)品中.
鴻星晶振,5032晶振,E5SB晶振.5.0*3.2mm小型四腳SMD晶體焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
鴻星石英晶振離子刻蝕調(diào)頻技術(shù):比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi).
鴻星晶振 |
單位 |
E5SB晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8.000MHZ~80.000MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C ~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-30°C ~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
10PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±2× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
5032貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。鴻星晶振,5032晶振,E5SB晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解SMD晶體或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞無源晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明5032四腳晶振單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補(bǔ)償
除非在小體積無源貼片晶體振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致鴻星壓電晶體振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。鴻星晶振,5032晶振,E5SB晶振
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
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JLX-PD
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