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ECLIPTEK晶振,E2UHA晶振,E2UHA18-12.000M晶振

頻率：12MHZ

尺寸：11.18*4.7mm

引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻,常用負(fù)載電容.49/S石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力,主要應(yīng)用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27837162

日蝕晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動的質(zhì)量.集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運作中實施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.盡可能的采用無害的石英晶振, 晶體振蕩器,有源晶振壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體的原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.根據(jù)需要,提高環(huán)境技術(shù)、材料和晶振晶體,石英振蕩器產(chǎn)品的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動的公開性.2腳49S插件晶體,2UHA晶振,E2UHA18-12.000M晶振
日蝕晶振公司將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時,努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意. 所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系.服務(wù)是Ecliptek日蝕晶振成功的基石.我們時時為客戶著想,盡力滿足并超越客戶對于我們的石英晶振,音叉晶體,電壓晶體元件,晶體振蕩器,有源晶振等產(chǎn)品的質(zhì)量要求以及服務(wù)價值.憑借先進(jìn)的設(shè)備一流的技術(shù)以及公司訓(xùn)練有素的服務(wù)團(tuán)隊,多方面的滿足各領(lǐng)域客戶的不同需求,從而成為晶振行業(yè)內(nèi)的最佳資源之一.

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ECLIPTEK晶振,E2UHA晶振,E2UHA18-12.000M晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
注意：在石英晶振晶體測量中各個廠家的儀器會存在一定的差距（誤差），所以應(yīng)對晶振晶體測試儀器做特別管制。尤其是小公差產(chǎn)品。目前本公司的標(biāo)準(zhǔn)儀器在品管部。DIP 產(chǎn)品為 250A，SMD產(chǎn)品為 250B。品管部應(yīng)對公司內(nèi)每臺單機每個月進(jìn)行一次校對。自動測試機用平移法進(jìn)行測試。同時保留和記錄與不同客戶之間的誤差。在生產(chǎn)中用平移法解決。高精度的頻率、電阻的測量技術(shù)：引進(jìn)一批先進(jìn)的檢測儀器，準(zhǔn)確度達(dá)到±1ppm（國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)）。在測量應(yīng)用上制定一套標(biāo)準(zhǔn)的測量方法保證測量的準(zhǔn)確性、儀器的精度、測試的一致性。2腳49S插件晶體,2UHA晶振,E2UHA18-12.000M晶振

日蝕晶振	單位	E2UHA18-12.000M晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	12MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ~+125°C	裸存
激勵功率	DL	100μW Max.	推薦:1μW ~100μW
頻率公差	f_— l	±15× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30× 10-6/-20°C ~ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	18pF	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-0°C~ +70°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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如果由頻率計數(shù)器測量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加無源石英晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計不是調(diào)諧到最佳共振點為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后，諧振點的調(diào)整。ECLIPTEK晶振,E2UHA晶振,E2UHA18-12.000M晶振
如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過以下三種方法改進(jìn)：方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過DIP晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。方法2：采用小電阻（RR）的晶體。方法3：使用鎘和CG的不等價的設(shè)計。
我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本，保證安全。請用頻率計數(shù)器來測量所述進(jìn)口晶體，以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格，請采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會偏差很大。2腳49S插件晶體,2UHA晶振,E2UHA18-12.000M晶振

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負(fù)載電容:如果49S插件晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。ECLIPTEK晶振,E2UHA晶振,E2UHA18-12.000M晶振

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測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到插件石英晶振電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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角色的分量與參考值:石英諧振器在振蕩電路的設(shè)計中，必須認(rèn)識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到49S石英晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設(shè)計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。

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