KDS晶振,貼片晶振,DX1008JS晶振,水晶振動子
頻率:48.000MHz~120.000MHz
尺寸:1.0*0.8*0.13mm
1.0*0.8mm體積非常小的貼片石英晶振器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高的精度和高的頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品好的選擇,符合RoHS/無鉛.
KDS石英晶振以優(yōu)良的產(chǎn)品迅速占領(lǐng)了中國市場,KDS品牌以在國內(nèi)電子元件中深入民心,KDS晶振以專業(yè)化系統(tǒng)在全國各地的工廠生產(chǎn).KDS以高超的生產(chǎn)技術(shù),一流的生產(chǎn)設(shè)備,KDS晶振產(chǎn)品價格 “更便宜,更快,更好的產(chǎn)品”,節(jié)省勞動力,自動化生產(chǎn)設(shè)施的優(yōu)勢,以滿足交貨時間和需求是你選擇KDS品牌最佳的或者伙伴.
KDS還擁有遍布全球的銷售網(wǎng)絡(luò),另外在大陸地區(qū)有極少數(shù)的代理商.深圳市金洛電子有限公司是其較早的代理,該司在上海、深圳、蘇州和香港以及美國等地設(shè)有辦事機構(gòu),能快速準(zhǔn)確的為客戶提供高品質(zhì)的KDS產(chǎn)品以及優(yōu)質(zhì)的服務(wù),在行業(yè)內(nèi)有一定的知名度.自從1993年在天津投產(chǎn)以來,技術(shù)更新從未間斷,從最初的32.768K晶體為主,到現(xiàn)在以小體積貼片石英晶體振蕩器為主,體積已經(jīng)是全世界OSC振蕩器之中最小的.KDS晶振,貼片晶振,DX1008JS晶振,水晶振動子
KDS晶振,貼片晶振,DX1008JS晶振,水晶振動子.此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高的波峰焊接,回流焊接等,貼片表晶主要特點是該產(chǎn)品排帶包裝,焊接模式主要使用SMT焊接,給現(xiàn)代SMT工藝帶來高的速的工作效率,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
KDS晶振 |
符號 |
DX1008JS晶振 |
基本信息對照表 |
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
48.000MHz~120.000MHz |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C ~+85°C |
KDS晶振特定的溫度 |
激勵功率 |
DL |
10μW (100μW Max.) |
如你有最大激勵功率為100μW需求,請聯(lián)系我們金洛電子 |
精度 |
f_— l |
±20ppm |
如有需要更高的精度可以特定. |
拐點溫度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
|
負(fù)載電容 |
CL |
8pF,10pF,12pF |
可按客戶需求指定 |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ — 45kΩ |
頻率老化 |
f_age |
±5×10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
1.電源旁路電容
使用本產(chǎn)品時,請放置一個約0.01的旁路電容μF,介于電源和GND之間(盡可能靠近產(chǎn)品終端盡可能)。
2.安裝表面貼裝晶體時鐘振蕩器
(1)安裝電路板后溫度快速變化
當(dāng)安裝板的材料為表面安裝時陶瓷有晶體時鐘振蕩器封裝膨脹系數(shù)不同于陶瓷的膨脹系數(shù)材料,焊接的圓角部分可能會破裂,如果受到影響長時間反復(fù)發(fā)生極端溫度變化。你在這樣的條件下,建議情況是這樣的事先檢查過。KDS晶振,貼片晶振,DX1008JS晶振,水晶振動子
(2)通過自動安裝進(jìn)行沖擊
當(dāng)有源晶振被吸附或吸入時自動安裝或超過的沖擊過程安裝振蕩器時會發(fā)生指定值板,振蕩器的特性會改變或惡化。
(3)板彎曲應(yīng)力
將晶體時鐘振蕩器焊接到印刷后板,彎曲板可能會導(dǎo)致焊接部分剝落關(guān)閉或振蕩器封裝由于機械應(yīng)力而破裂。
3.抗跌落沖擊力
本目錄中的產(chǎn)品設(shè)計得非常高抗自由落體沖擊(最多三次)。但是,如果錯誤地將產(chǎn)品從桌子等處丟棄,為確保最佳性能,建議您使用再次測量晶振的性能或您要求我們再次測量它。
4.靜電
本目錄中的產(chǎn)品使用CMOS IC作為其有源產(chǎn)品元素。因此,在一個環(huán)境中處理產(chǎn)品對抗靜電的措施拍攝。
5.耐高溫
關(guān)于耐高溫性,使用產(chǎn)品時在溫度為+ 125°C的極端環(huán)境中超過24小時,產(chǎn)品的所有特點無法保證。要特別注意存放產(chǎn)品在正確的溫度范圍內(nèi)。
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明石英晶振單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致KDS晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG×CD/(CG+CD)+CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負(fù)載電容特征圖器
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