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KDS晶振,插件晶振,DT-261晶振
頻率：32.768KHZ
尺寸：2*6mm
晶振技術(shù)參數(shù)點擊下載
KDS還擁有遍布全球的銷售網(wǎng)絡,另外在大陸地區(qū)有極少數(shù)的代理商.深圳市金洛鑫電子有限公司是其較早的代理,該司在上海、深圳、蘇州和香港以及美國等地設有辦事機構(gòu),能快速準確的為客戶提供高品質(zhì)的KDS產(chǎn)品以及優(yōu)質(zhì)的服務,在行業(yè)內(nèi)有一定的知名度.
KDS晶振,插件晶振,DT-261晶振,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
|
KDS晶振 |
單位 |
DT-261晶振 |
石英晶振基本條件 |
|
標準頻率 |
f_nom |
20~100KHZ |
標準頻率 |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-10°C ～ +60°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-20°C ～ +70°C |
標準溫度 |
|
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
|
負載電容 |
CL |
12.5pF ～ ∞ |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
超聲波清洗
（1）使用AT-切割晶體和表面聲波（SAW）諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品，可以通過超聲波進行清洗。但是，在某些條件下， 晶體特性可能會受到影響，而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗，因為晶體可能受到破壞。
（3）請勿清洗開啟式產(chǎn)品
（4）對于可清洗產(chǎn)品，應避免使用可能對石英晶體諧振器產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等。
（5）焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響晶振的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
10.操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
11.使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。KDS晶振,插件晶振,DT-261晶振
設計振蕩回路的注意事項
1. 驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
2. 振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
手機：13510569637
電話：0755-27837162
QQ號：657116624
微信公眾號：CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號：晶振石英晶振NDK晶振
郵箱：jinluodz@163.com
地址：深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號
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JLX-PD
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