日本大真空株式會(huì)社,于1993年被天津政府對(duì)外資招商部特別邀請(qǐng)?jiān)谥袊?guó)天津投資.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,當(dāng)時(shí)總額1.4億美元,注冊(cè)資本4867.3萬(wàn)美元,占地面積67.5畝.主要研發(fā)生產(chǎn):壓電石英水晶制品,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器系列.陶瓷制品以及光學(xué)制品,其主要的產(chǎn)品還是水晶振動(dòng)子,剛投資建廠時(shí)主打產(chǎn)品便是32.768KHZ系列產(chǎn)品.
        KDS石英晶振以優(yōu)良的產(chǎn)品迅速占領(lǐng)了中國(guó)市場(chǎng),KDS品牌以在國(guó)內(nèi)電子元件中深入民心,KDS晶振以專業(yè)化系統(tǒng)在全國(guó)各地的工廠生產(chǎn).KDS晶振技術(shù)部門實(shí)驗(yàn)兼容低電壓的工作,這是在GPS接收器中要使用的IC的趨勢(shì).此款溫補(bǔ)晶振可以在1.8 V操作,也可以在很寬的電壓范圍工作+3.6V~+1.7V一樣,也可以用正常使用.KDS晶振,貼片晶振,DSX1210A晶振,小體積石英晶體

        KDS晶振,貼片晶振,DSX1210A晶振,小體積石英晶體.該產(chǎn)品體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高的溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高的溫回流溫度曲線要求.
        石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英水晶振動(dòng)子的年老化特性。

表面貼裝晶體振蕩器的安裝
（1）振蕩器振動(dòng)后溫度快速變化
        安裝在板上當(dāng)安裝板的材料時(shí)，用于表面安裝陶瓷晶體振蕩器封裝，有膨脹系數(shù)不同于膨脹系數(shù)陶瓷，焊接的圓角部分可能會(huì)裂開環(huán)境重復(fù)和極端溫度變化會(huì)在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)發(fā)生。在這種情況下，建議事先檢查情況。
（2）自動(dòng)安裝引起的沖擊
        當(dāng)晶體振蕩器被吸附或吸附時(shí)自動(dòng)安裝或超過(guò)規(guī)定的沖擊安裝在電路板上時(shí)給出的值，這會(huì)導(dǎo)致其特性發(fā)生變化或惡化。
（3）板彎曲應(yīng)力
        如果在焊接無(wú)源晶振單元后PC板彎曲對(duì)于PC板，機(jī)械應(yīng)力可能會(huì)導(dǎo)致焊接部分剝落或晶體單元封裝裂紋。
清潔
        請(qǐng)勿使用以下水晶進(jìn)行浸泡清潔
儲(chǔ)存
        晶體振蕩器的環(huán)境溫度和濕度儲(chǔ)存應(yīng)根據(jù)常溫和正常情況而定濕度（+5至45°C和10至75％）。溫度和濕度以上顯示的是確保環(huán)境的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)晶體振蕩器的特性在進(jìn)入時(shí)不會(huì)惡化使用或在長(zhǎng)時(shí)間不使用電源后使用施加電源電壓。但是，電氣和機(jī)械特性，如振蕩頻率老化特性和焊接性能，可能會(huì)隨時(shí)間而變化。因此它是建議不要將晶體振蕩器存放起來(lái)長(zhǎng)期（三個(gè)月或更長(zhǎng)時(shí)間），雖然取決于關(guān)于他們的規(guī)格和配置，存儲(chǔ)期限將不同。
        此外，請(qǐng)勿將有源晶體振蕩器存放在環(huán)境中高溫高濕（相對(duì)濕度：75％或更多）以及產(chǎn)生腐蝕性氣體的地方。如果你需要在暴露于海洋的環(huán)境中使用晶體振蕩器微風(fēng)或濕度高的地方和露水凝結(jié)容易發(fā)生，考慮使用密封的。KDS晶振,貼片晶振,DSX1210A晶振,小體積石英晶體

        振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。在貼片晶振的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
        適當(dāng)?shù)目刂茻o(wú)線通訊晶振電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3pF的范圍內(nèi)-33 pF左右，僅供參考。

        負(fù)載電容：如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容

        測(cè)試條件：(1) 電源電壓超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他：輸入電容低于 15 pF，5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他：CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。）

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