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KDS晶振,貼片晶振,DST310S晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：3.2*1.5mm

32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

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日本大真空株式會社,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,當時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.KDS集團公司在2008年發(fā)布,研發(fā)并且已經(jīng)出樣的小型貼片有源晶振【TCXO】,產(chǎn)品應用到GPS設備,小型高精度SMD溫補晶振DSB321SDA/DSB221SDA,同時發(fā)布可以接受訂單.
KDS晶振性能穩(wěn)定,精度高,體積小,在惡劣環(huán)境也能正常工作,TCXO溫補晶振溫度穩(wěn)定度可達±0.5PPM.在普通晶體諧振器和振蕩器中,我們可接受高頻率和偏頻率以及少數(shù)量的高精度寬溫的制作. 從1993年在天津投產(chǎn)以來,技術更新從未間斷,從最初的32.768K晶體為主,到現(xiàn)在以小體積貼片石英晶體振蕩器為主,體積已經(jīng)是全世界石英晶體振蕩器之中最小的.

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KDS晶振,石英晶振,DST310S晶振.貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
KDS石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。

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KDS晶振	符號	DST310S晶體	基本信息對照表
Crystal標準頻率	f_nom	32.768kHz
儲存溫度	T_stg	-40℃~+85℃	裸存
工作溫度	T_use	-40℃~+85℃	KDS晶振特定的溫度
激勵功率	DL	0.2μW (1.0μW Max.)	如你有最大激勵功率為1.0μW 需求,請聯(lián)系我們金洛電子
精度	f_— l	±20 ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點溫度	Ti	+25°C ±5°C
負載電容	CL	7pF/9pF/12.5pF	可按客戶需求指定
串聯(lián)電阻（ESR）	R₁	70kΩ Max.	70kΩ ~ 45kΩ
頻率老化	f_age	±3×10^-6/year Max.	+25℃, 第一年

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DST310SWCT

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抗沖擊

晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如32.768K晶振從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果進口晶振已受過沖擊請勿使用。

輻射

暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害，因此應避免照射。DST310S晶振,金屬殼二腳貼片晶振,32.768K石英晶體諧振器

化學制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口貼片晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。

粘合劑

請勿使用可能導致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。）

鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用高精度晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。KDS晶振,石英晶振,DST310S晶振

靜電

過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

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設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明3215晶體諧振器所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。KDS晶振,石英晶振,DST310S晶振

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2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加3215貼片晶振振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

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3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致3215封裝晶體振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。DST310S晶振,金屬殼二腳貼片晶振,32.768K石英晶體諧振器

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