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微晶晶振,插件晶振,DS10晶振,32.768K圓柱晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：4.3*1.0mm

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車(chē)電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能。

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

微晶32.768K在瑞士、泰國(guó)建有生產(chǎn)中心，及遍布世界各地的代表處。我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證，并達(dá)到RoHS，REACh等規(guī)范的要求。全球約550個(gè)員工的責(zé)任感和奉獻(xiàn)精神是我們成功的基石。我們對(duì)管理、環(huán)境、社會(huì)責(zé)任都有明確的行為準(zhǔn)則（比如對(duì)有爭(zhēng)議的原材料的問(wèn)題上），這些是我們?cè)谖磥?lái)保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的主要原因。
微晶玻璃（MC）的管理、環(huán)境與社會(huì)責(zé)任原則執(zhí)行（MES）大綱標(biāo)準(zhǔn)，以確保MC設(shè)備的工作條件，以及供應(yīng)鏈合作伙伴的活動(dòng)支持MC的要求，圓柱插件晶振是安全的，工人是尊重和尊嚴(yán)對(duì)待，以及制造過(guò)程使用MC和它的作伙伴對(duì)環(huán)境負(fù)責(zé)。供應(yīng)商確認(rèn)和執(zhí)行原則。采納這些原則的基本原則是理解一個(gè)企業(yè)，即它的所有業(yè)務(wù)動(dòng)必須完全遵守國(guó)家的法律、法規(guī)和規(guī)章它在其中運(yùn)行。這些原則鼓勵(lì)參與者考慮超越法律，遵守國(guó)際公認(rèn)標(biāo)準(zhǔn)，促進(jìn)社會(huì)和環(huán)境責(zé)任。

微晶晶振,插件晶振,DS10晶振,32.768K圓柱晶振,引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉(cāng)庫(kù)長(zhǎng)時(shí)間大量庫(kù)存常用頻點(diǎn),.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負(fù)載電容,DS10石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇。
晶振高頻連續(xù)脈沖焊接技術(shù)：晶振撿漏：檢查貼片晶振封焊后的產(chǎn)品是否有漏氣現(xiàn)象（粗撿漏、細(xì)撿漏）粗撿漏：檢查較大的漏氣現(xiàn)象。細(xì)撿漏：檢查較小的漏氣現(xiàn)象。酒精撿漏：把晶振放置在酒精容器內(nèi)加壓，取出后對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行絕緣測(cè)試，判定是否漏氣。一般用絕緣電阻測(cè)試法進(jìn)行，要求直流電壓 Vcc=100 V、絕緣電阻 RR≥500 MΩ。用于粗撿漏。氣泡撿漏：把石英晶振放置在 FC-40 中，觀察產(chǎn)品是否存在氣泡現(xiàn)象。用于粗撿漏。氦撿漏：產(chǎn)品加壓灌氦后，用氦撿漏儀進(jìn)行撿漏。用于細(xì)撿漏。打印：在產(chǎn)品上印上標(biāo)示。有油墨打印、激光打印。

微晶晶振	單位	DS10晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-20°C~+70°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C~+60°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	1μW Max.	推薦:0.5μW
頻率公差	f_— l	±20、±30、±100× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±100 × 10-6/-40°C~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7,8.2,9,12.5PF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL=0.5μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

DS10 DS15 DS26

插件晶振安裝注意事項(xiàng)：安裝時(shí)的注意事項(xiàng)導(dǎo)腳型晶振• 構(gòu)造圓柱晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2)。微晶晶振,插件晶振,DS10晶振,32.768K圓柱晶振
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修改插件晶振彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí)，以及要取出石英晶振等情況下不能強(qiáng)制拔出導(dǎo)腳，如果強(qiáng)制地拔出導(dǎo)腳，會(huì)引起玻璃的破裂，而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降，有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3)。(2) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí)，要壓住外殼基側(cè)的導(dǎo)腳，且從上下方壓住彎曲的部位，再進(jìn)行修改(參閱圖 4)。

彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 將導(dǎo)腳彎曲之后并進(jìn)行焊接時(shí)，導(dǎo)腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位。如果不留出晶振導(dǎo)腳的直線部位而將導(dǎo)腳彎曲，有可能導(dǎo)致玻璃的破碎 (參閱圖5 和圖6)。(2) 在導(dǎo)腳焊接完畢之后再將導(dǎo)腳彎曲時(shí)，務(wù)必請(qǐng)留出大于外殼直徑長(zhǎng)度的空閑部分 (參閱圖7)。

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負(fù)載電容：如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致圓柱型插件晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。微晶晶振,插件晶振,DS10晶振,32.768K圓柱晶振

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振蕩電路的檢查方法：振蕩頻率測(cè)量必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的聲表面諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。接觸振蕩電路。探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。
圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查32.768K晶振振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來(lái)測(cè)量。
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