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Statek晶振,貼片晶振,CX9VSM晶振,石英諧振器
頻率：32.768KHZ
尺寸：4.1*1.5mm
Statek晶振集團(tuán)所生產(chǎn)的壓電石英晶體、有源晶體,溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）完全符合ISO14001環(huán)境管理體系國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的要求,體現(xiàn)了一個(gè)適合、三個(gè)承諾和一個(gè)框架：建造美麗家園——適合于我公司的生產(chǎn)活動(dòng)、產(chǎn)品以及服務(wù)過程的性質(zhì).規(guī)模與環(huán)境影響；持續(xù)改進(jìn)——持續(xù)改進(jìn)環(huán)境績(jī)效和環(huán)境管理體系的承諾；減少污染,節(jié)能降耗——污染預(yù)防的承諾；依法治理——遵守現(xiàn)行適用的環(huán)境法律、法規(guī)和其他要求的承諾；
石英晶體諧振器高精度晶片的切割技術(shù): AT 切型晶振的晶片厚度為：t= 1670*n/ f 0,BT 切型石英晶振的晶片厚度為：t= 2560*n/ f 0,t: 晶振晶片厚度(mm) f 0 : 晶片標(biāo)稱頻率(KHz) n: 泛音次數(shù).2.6、晶振的腐蝕技術(shù)：用酸液腐蝕掉因研磨而產(chǎn)生的破壞層，消除晶片內(nèi)應(yīng)力，同時(shí)使石英晶振的晶片達(dá)到更準(zhǔn)確的目標(biāo)值。腐蝕頻率=（1000*（F/N）+（F 2 /N 2 ）*PB）*N,F：石英晶振的標(biāo)稱頻率。 如 14.318180 MHz,18.432000 MHz, 20.000000 MHz.32.768千赫茲時(shí)鐘晶體,小尺寸4.1*1.5mm封裝晶振,CX9VSM晶振
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STATEK晶振 |
單位 |
CX9VSM晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~ +125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C ~+125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
|
激勵(lì)功率 |
DL |
0.5μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±100 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-55°C ~ +200°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
9pF |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-55°C — +200°C, DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是音叉貼片晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說明：32.768千赫茲時(shí)鐘晶體,小尺寸4.1*1.5mm封裝晶振,CX9VSM晶振
振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用4115貼片晶振正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。Statek晶振,貼片晶振,CX9VSM晶振,石英諧振器
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過32.768K無源晶振輸入振蕩電路的輸出來測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測(cè)量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測(cè)量。
振蕩補(bǔ)償:除非在32.768K無源貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
測(cè)試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過4115石英晶振振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.
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