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Statek晶振,貼片晶振,CX9SMAT晶振,石英進(jìn)口晶振

頻率:14.7456~49MHZ

尺寸:4.1*1.5mm

智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
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歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤(pán)晶振,CX9SMAT晶振

    Statek在陶瓷晶振封裝中使用玻璃或陶瓷外殼組裝晶體諧振器。Statek產(chǎn)品比機(jī)械制造的水晶產(chǎn)品要小得多。Statek晶體、振蕩器和傳感器的典型特征是:高穩(wěn)定性和精密頻率,低長(zhǎng)期老化,低功耗,非常小的足跡,優(yōu)秀的耐沖擊性,超低調(diào),在美國(guó)設(shè)計(jì)和制造,設(shè)計(jì)能力定制設(shè)計(jì)的有限元分析軟件,在構(gòu)建實(shí)物原型之前,能夠準(zhǔn)確地進(jìn)行設(shè)備行為建模,節(jié)省您的時(shí)間。通過(guò)我們廣泛的設(shè)計(jì)和過(guò)程庫(kù),從我們過(guò)去的成功中獲益。Statek擁有設(shè)計(jì)和分析各種操作模式中所有機(jī)械幾何形狀的石英諧振器的專門(mén)知識(shí)。歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤(pán)晶振,CX9SMAT晶振
    Statek公司是設(shè)計(jì)和制造高可靠性頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)者,它宣布了DFXO石英晶體諧振器的發(fā)布。微分輸出石英晶體振蕩器可用LVDS和LVPECL輸出。這5毫米x7毫米高頻(20 MHz到300mhz)振蕩器的特點(diǎn)是低相位噪聲和低相位抖動(dòng),達(dá)到155.52 MHz的基本晶體頻率。適用于Xilinx FPGA參考時(shí)鐘應(yīng)用。提出了擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍(-40°C + 105°C)。內(nèi)部解耦電容;不需要外部電容器。

歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤(pán)晶振,CX9SMAT晶振

     Statek晶振,貼片晶振,CX9SMAT晶振,石英進(jìn)口晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求. 
     石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤(pán)晶振,CX9SMAT晶振

歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤(pán)晶振,CX9SMAT晶振

STATEK晶振

單位

CX9SMAT晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

14.7456~49MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55°C~ +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C ~+125°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW  100μW

頻率公差

f_— l

±100 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-55°C ~ +200°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

10pF

不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-55°C —  +200°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤(pán)晶振,CX9SMAT晶振

歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤(pán)晶振,CX9SMAT晶振

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    這些進(jìn)口晶振知識(shí)介紹是指,晶振在產(chǎn)品上線之后發(fā)生不良品或者沒(méi)反應(yīng)的情況下,自檢辦法。石英晶振如果在電路上的功能不規(guī)則或根本無(wú)法全部晶振找出得到了應(yīng)用操作,請(qǐng)使用以下的清單找出可能存在的問(wèn)題。請(qǐng)按照確定的因素和可能的解決方案的說(shuō)明。我們從晶振使用輸出無(wú)信號(hào)開(kāi)始尋找相關(guān)問(wèn)題。Statek晶振,貼片晶振,CX9SMAT晶振,石英進(jìn)口晶振
     我們可以先使用示波器或者頻率計(jì)數(shù)器來(lái)檢查石英貼片晶體終端的兩個(gè)信號(hào),如果沒(méi)有信號(hào)輸出,請(qǐng)按照步驟1-1到1-4步執(zhí)行檢查。如果有從石英晶振(XOUT)的輸出端子的輸出信號(hào),而是從在終端(辛)輸出沒(méi)有信號(hào),請(qǐng)檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。

     你可以先把晶體卸載下來(lái)并測(cè)試進(jìn)口SMD晶振的頻率和負(fù)載電容,看看他們是否能振動(dòng),也可以使用專業(yè)的石英晶體測(cè)試儀器來(lái)檢測(cè) 。如果你沒(méi)法檢測(cè)你也可以將不良品發(fā)送給我公司,我們檢測(cè)分析之后告訴你結(jié)果。如果有下列情況發(fā)生,晶振不起振,首先你先查看你產(chǎn)品上使用的負(fù)載電容CL是否對(duì),是否跟你的線路相匹配,或者是晶振的精度是否符合你的要求,或者你可以把產(chǎn)品發(fā)送回我公司分析。如果晶振頻率和負(fù)載電容跟要求相對(duì)應(yīng)的話,我們將需要進(jìn)行等效電路測(cè)試。比如等效電路測(cè)試如下:歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤(pán)晶振,CX9SMAT晶振

歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤(pán)晶振,CX9SMAT晶振

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    晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在進(jìn)口無(wú)源晶振基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。Statek晶振,貼片晶振,CX9SMAT晶振,石英進(jìn)口晶振
      適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器(C1,C2)。精確值是通過(guò)陶瓷面無(wú)源貼片晶體測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。

歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤(pán)晶振,CX9SMAT晶振

        驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明超薄SMD晶振振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL).

歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤(pán)晶振,CX9SMAT晶振

       測(cè)試條件(1)電源電壓:超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)陶瓷面二腳晶振振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線).

歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤(pán)晶振,CX9SMAT晶振

JLX-6

RB-6

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