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京瓷晶振,石英晶體諧振器,CX2016DB晶振

頻率：16.000MHz~60.000MHz

尺寸：2.0*1.6*0.4mm

CX2016DB晶振晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型?薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.

訂購熱線：0755-27837162

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京瓷的全球業(yè)務(wù)提供各種各樣的產(chǎn)品，包括先進(jìn)的材料、部件、設(shè)備、設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)工程和其他服務(wù)。每個產(chǎn)品線管理團(tuán)隊通過整合京瓷集團(tuán)技術(shù)來解決新出現(xiàn)的趨勢，積極開發(fā)新產(chǎn)品和新市場。我們本著“顧客至上”的原則，通過在價格、質(zhì)量、服務(wù)和交貨等方面的全面客戶滿意度來創(chuàng)造新的價值。進(jìn)口2016石英晶體諧振器,京瓷16M貼片晶振,CX2016DB晶體

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JC-2 京瓷晶振,石英晶體諧振器,CX2016DB晶振,在很長的一段時間里,2016mm是MHZ級石英晶振里最小的尺寸,KYOCERA公司的這款CX2016DB晶振一經(jīng)問世便引起業(yè)界的轟動,吸引來自五十多個國家的生產(chǎn)廠家的注意爭相使用,并且都給出了較高的贊譽(yù).

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京瓷晶振	單位	CX2016DB晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	16.000MHZ~60.000MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±15 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±15 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

CX2016DB 2016

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操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振CX2016DB。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。京瓷晶振,石英晶體諧振器,CX2016DB晶振
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力，會導(dǎo)致京瓷小體積晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?（請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致2016mm晶體諧振器振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。進(jìn)口2016石英晶體諧振器,京瓷16M貼片晶振,CX2016DB晶體

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設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。京瓷晶振,石英晶體諧振器,CX2016DB晶振

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

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3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。進(jìn)口2016石英晶體諧振器,京瓷16M貼片晶振,CX2016DB晶體

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