京瓷晶振,貼片晶振,CX1210SB晶振,日本貼片晶振
頻率:27120~32000KHZ
尺寸:1.2*1.0*0.35mm
京瓷把“客戶第一”的原則放在首位,以確保我們提供的進口晶振產品和服務始終使人們滿意。顧客滿意要求我們對周圍的不斷變化作出快速反應。我們也努力通過有機地動員和管理資源的技術能力,京瓷集團在創(chuàng)造新的價值,用我們的京瓷理念,我們的阿米巴管理系統(tǒng),我們通過“人類智慧的債券管理的信念。當我們一起努力,參與管理,發(fā)現(xiàn)工作中的滿足感和擴大我們真正的潛力,我們人類的成長。
公司由人組成。技術、產品或服務的質量取決于背后的人。我們希望通過不斷追求夢想的團隊成員,不斷地為我們的客戶提供新的價值,并積極地、始終如一地實現(xiàn)自我目標。京瓷的哲學京瓷集團的企業(yè)社會責任活動是基于京瓷的哲學,以作為其決策的原則“做正確的事,作為一個人類,“通過我們的京瓷理念,我們努力推進我們的企業(yè)公民,建立利益相關者相互的信任關系,為可持續(xù)增長。同時,我們也為社會的健康發(fā)展作出貢獻。推進企業(yè)社會責任(CSR)在企業(yè)公民的關鍵主題,節(jié)約貼片石英晶振能源、緩解氣候變化、防止污染的措施。
京瓷晶振,貼片晶振,CX1210SB晶振,日本貼片晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產品市場領域,因產品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。
石英貼片晶振的切割設計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質,壓電性質,溫度性質不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。
京瓷晶振 |
單位 |
CX1210SB晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
27120~32000KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+105°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10μW Max. |
推薦:10μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10× 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±15× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C~+85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
所有產品的共同點
1:抗沖擊:抗沖擊是指無源晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3:化學制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品。京瓷晶振,貼片晶振,CX1210SB晶振,日本貼片晶振
4:粘合劑:請勿使用可能導致石英晶體諧振器所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。) 5:鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6:靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
1.驅動能力:驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:驅動能力 (P) = i2?Re:其中i表示經(jīng)過1210晶振單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。京瓷晶振,貼片晶振,CX1210SB晶振,日本貼片晶振
3. 負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
2. 測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他: 輸入電容低于 15 pF 5倍頻率范圍或更多測量頻率。 鉛探頭應盡可能短。 測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過石英晶體振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3) 其他: CL包含探頭電容。? 應使用帶有小的內部阻抗的電表。? 使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線。)
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
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電話:0755-27837162
QQ號:657116624
微信公眾號:CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
郵箱:jinluodz@163.com
地址:深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號
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