村田晶振,CSTCC晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振
頻率:3.200MHZ
尺寸:7.2*3.0mm
2010年3月完成了對(duì)日本村田晶振在國(guó)內(nèi)全部事業(yè)所和海外全部陶瓷晶振,陶瓷諧振器,村田陶瓷振蕩子生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)的環(huán)保管理系統(tǒng)整合.通過(guò)所構(gòu)建的國(guó)際化環(huán)保管理系統(tǒng),進(jìn)一步強(qiáng)化了村田晶振集團(tuán)的管制,能夠推進(jìn)更加有效且具有更高實(shí)效性的環(huán)?;顒?dòng).而且,以往我們都以各事業(yè)所為單位進(jìn)行PDCA循環(huán),從2012年起,我們把多家事業(yè)所作為一個(gè)管理單位,不斷推動(dòng)著PDCA循環(huán)的衛(wèi)星化.低頻7032貼片晶振,CSTCC晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振
根據(jù)員工的職位和業(yè)務(wù)內(nèi)容實(shí)施環(huán)保教育,為了提高員工的環(huán)保意識(shí),村田晶振對(duì)全體員工實(shí)施環(huán)保教育.并且在2012年對(duì)內(nèi)部監(jiān)查員培訓(xùn)講座的教學(xué)綱要進(jìn)行了修改調(diào)整,引進(jìn)了模擬監(jiān)查等,使教育內(nèi)容更加接近于實(shí)際的監(jiān)查.此外,針對(duì)生產(chǎn)村田晶振,陶瓷諧振器,村田石英晶振,陶瓷振蕩器的生產(chǎn)操作排水排氣等對(duì)環(huán)保有影響的設(shè)備的員工,開(kāi)展個(gè)別教學(xué),使其掌握正確的檢查方法、提高運(yùn)轉(zhuǎn)效率,力爭(zhēng)最大限度地減少環(huán)保影響.
村田晶振,CSTCC晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振,貼片石英晶振最適合用于車(chē)載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對(duì)應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡(jiǎn)稱(chēng)為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱(chēng)為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。低頻7032貼片晶振,CSTCC晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振
TXC晶振 |
單位 |
CSTCC晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.2MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
包裝規(guī)格 |
mm |
180 |
最小訂購(gòu)單位:2000 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C~+80°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
300μW Max. |
推薦:1~300μW |
頻率公差 |
f_— l |
±0.5%×10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±0.4%×10-6/-20°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
47pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
50Ω |
-20°C~ +70°C, DL = 50μW |
頻率老化 |
f_age |
±0.3%×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>石英SMD晶振規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。村田晶振,CSTCC晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振
機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)無(wú)源貼片晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于進(jìn)口石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。 低頻7032貼片晶振,CSTCC晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振
驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明網(wǎng)絡(luò)設(shè)備陶瓷晶振振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL).村田晶振,CSTCC晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振
測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)ZTT陶瓷貼片晶振振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線).
1.振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件,因此受到3M晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在7.0*3.0mm貼片晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機(jī):13510569637
電話:0755-27837162
QQ號(hào):657116624
微信公眾號(hào):CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號(hào):晶振石英晶振NDK晶振
郵箱:jinluodz@163.com
地址:深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號(hào)
網(wǎng)址:http://www.upap-pt.com/
相關(guān)的產(chǎn)品 / Related Products
JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
PRODUCT LINE
石英晶振
QuartzCrystal
- KDS晶振
- 愛(ài)普生晶振
- NDK晶振
- 京瓷晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 大河晶振
- 村田晶振
- 泰藝晶振
- TXC晶振
- 鴻星晶振
- 希華晶振
- 加高晶振
- 百利通亞陶晶振
- 嘉碩晶振
- 津綻晶振
- 瑪居禮晶振
- 富士晶振
- SMI晶振
- Lihom晶振
- SHINSUNG晶振
- NAKA晶振
- AKER晶振
- NKG晶振
- NJR晶振
- Sunny晶振
貼片晶振
SMDcrystal
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal晶振
- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal晶振
- IDTcrystal晶振
- PletronicsCrystal晶振
- StatekCrystal晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- Fox晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- KVG晶振
- ILSI晶振
- Mmdcomp晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- Quarztechnik晶振
- Suntsu晶振
- Transko晶振
- Wi2Wi晶振
- ITTI晶振
- Oscilent晶振
- ACT晶振
- Rubyquartz晶振
- MTI-milliren晶振
- PDI晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Anderson晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- ARGO晶振
- 瑞薩renesas晶振
- Skyworks晶振