TXC晶振,有源晶振,CS晶振,CS-156.250MCC-T晶振,石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

       小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的壓電石英晶體,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對應(yīng)150.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

        臺灣晶技為一專業(yè)之頻率組件與感測組件供貨商，自1983年成立以來，始終致力于石英晶體相關(guān)諧振器(Crystal)、貼片振蕩器(Oscillator) 等頻率組件之研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)與銷售，并因應(yīng)市場應(yīng)用與需求，透過自主核心技術(shù)，成功開發(fā)出各式感測組件(Sensor)，產(chǎn)品可廣泛使用于行動通訊、穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器儲存設(shè)備、車用、電信、醫(yī)療…等市場。多年來，我們始終以提升客戶價值為目標(biāo)，是以無論在價格、質(zhì)量、交期、服務(wù)等方面，均盡力盡心于超越客戶的期待，并以能成為客戶最佳的策略合作伙伴自我敦促。

       臺灣晶技TXC晶振為一專業(yè)之頻率組件與感測組件供貨商，自1983年成立以來，始終致力于石英晶體相關(guān)諧振器(Crystal)、振蕩器(Oscillator) 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,OSC振蕩器等頻率組件之研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)與銷售，并因應(yīng)市場應(yīng)用與需求，透過自主核心技術(shù)，成功開發(fā)出各式感測組件(Sensor)，產(chǎn)品可廣泛使用于行動通訊、穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器儲存設(shè)備、車用、電信、醫(yī)療…等市場。

臺產(chǎn)TXC有源石英進(jìn)口晶振型號列表：

       所有產(chǎn)品的共同點1：抗沖擊:抗沖擊是指5032晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。 TXC晶振,有源晶振,CS晶振,CS-156.250MCC-T晶振

       4：粘合劑:請勿使用可能導(dǎo)致石英貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。

       晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時,請在進(jìn)口石英晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。 

          測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量金屬面有源晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.TXC晶振,有源晶振,CS晶振,CS-156.250MCC-T晶振

          振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設(shè)計中，先決條件之一是如何確定金屬面六腳振蕩器振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。TXC晶振,有源晶振,CB晶振,CB-150.000MBE-T晶振

       角色的分量與參考值:在高性能輸出晶振振蕩電路的設(shè)計中，必須認(rèn)識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

          如果5032石英晶體振蕩器振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

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